氮化铝陶瓷的制备及研究进展.docx

Hans汉斯MaterialSciences材料科学,2021,11(7),

Hans汉斯

PublishedOnlineJuly2021inHans./journal/ms

/10.12677/ms.2021.117098

氮化铝陶瓷的制备及研究进展

宋志健1，刘世凯1*，黄威2，徐天兵2，陈颖鑫1，孙亚光1*

1河南工业大学，材料科学与工程学院，河南郑州2连云港市沃鑫高新材料有限公司，江苏连云港

Email:shikai_liu@haut.,yaguang_sun@haut.edu.cn

收稿日期：2021年6月30日；录用日期：2021年7月21日；发布日期：2021年7月28日

摘要

氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的热导率、电绝缘性能和介电性能，最重要的是其与硅的热膨胀系数相近，是较为理想的可用于基板和电子器件封装的半导体材料。本文综述了氮化铝的性能、陶瓷成型、烧结等技术的研究进展，并对氮化铝陶瓷的发展方向进行了探讨。

关键词

氮化铝陶瓷，成型，烧结

ResearchStatusandDevelopmentofAluminumNitrideCeramics

ZhijianSong1,ShikaiLiu1,*,WeiHuang2,TianbingXu2,YingxinChen1,YaguangSun1*

1CollegeofMaterialsScienceandEngineering,HenanUniversityofTechnology,ZhengzhouHenan2LianyungangWoxinHigh-TechMaterialCo.,Ltd.,LianyungangJiangsu

Email:shikai_liu@haut.,yaguang_sun@haut.edu.cn

Received:Jun.30th,2021;accepted:Jul.21st,2021;published:Jul.28th,2021

Abstract

Aluminumnitride(AlN)ceramicshaveexcellentthermalconductivity,electricalinsulationanddielectricproperties.Themostimportantthingisthatitsthermalexpansioncoefficientiscloseto

thatofsilicon,soitisanidealsemiconductormaterialtobeusedforsubstrateandelectronicde-

*通讯作者。

文章引用:宋志健,刘世凯,黄威,徐天兵,陈颖鑫,孙亚光.氮化铝陶瓷的制备及研究进展[J].材料科学,2021,11(7):848-854.DOI:10.12677/ms.2021.117098

宋志健等

DOI:10.12677/ms.2021.117098849材料科学

vicepackaging.Inthispaper,theproperties,ceramicmolding,sinteringandothertechnologiesofaluminumnitridearereviewed,andthedevelopmentdirectionofaluminumnitrideceramicsisdiscussed.

Keywords

AlN,Molding,Sintering

Copyright?2021byauthor(s)andHansPublishersInc.

ThisworkislicensedundertheCreativeCommonsAttributionInternationalLicense(CCBY4.0).

/licenses/by/4.0/

OpenAccess

1.引言

近些年，随