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SiliconN-ChannelPowerMOSFET
R
○
CS8N25A8R
GeneralDescription:VDSS250V
CS8N25A8R,thesiliconN-channelEnhancedVDMOSFETs,ID8A
isobtainedbytheself-alignedplanarTechnologywhichreduceP(T=25℃)75W
DC
theconductionloss,improveswitchingperformanceandRDS(ON)Typ0.36Ω
enhancetheavalancheenergy.Thetransistorcanbeusedin
variouspowerswitchingcircuitforsystemminiaturizationand
higherefficiency.ThepackageformisTO-220AB,whichaccords
withtheRoHSstandard.
Features:
FastSwitching
LowONResistance(Rdson≤0.47Ω)
LowGateCharge(TypicalData:12.8nC)
LowReversetransfercapacitances(Typical:7.9pF)
100%SinglePulseavalancheenergyTest
Applications:
Automotive、DCMotorControlandClassDAmplifier.
Absolute(T=25℃unlessotherwisespecified):
J
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage250V
ContinuousDrainCurrentTC=25°C8A
ID
ContinuousDrainCurrentTC=100°C5
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