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SiliconN-ChannelPowerMOSFET

CRTD080N04L2-G

GeneralDescription：VDSS40V

I（）65A

CRTD080N04L2-G,thesiliconN-channelEnhancedDSiliconlimitedcurrent

I（）50A

DPackagelimitedcurrent

VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrench

PD59.5W

technologywhichreducetheconductionloss,improveswitching

RDS(ON)Typ6.2mΩ

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thisdevicecan

beusedinloadswitchandpowerswitchapplications.Thepackage

formisTO-252,whichaccordswiththeRoHSstandard.

Features：

FastSwitching

LowONResistance(Rdson≤7.8mΩ)

LowGateCharge

LowReversetransfercapacitances

100%SinglePulseavalancheenergyTest

HalogenFree

Applications：

loadswitchandpowerswitchapplications.

Absolute（Tj=25℃unlessotherwisespecified）

SymbolParameterRatingUnits

VDSSDrain-to-SourceVoltage40V

ContinuousDrainCurrentTC=25°C65A

IDContinuousDrainCurrentT=25°C（）

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