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士兰微一级代理商CRTE080P03L2P深圳阜 康科技.pdf

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SiliconP-ChannelPowerMOSFET

CRTE080P03L2P

GeneralDescription:VDSS-30V

CRTE080P03L2P,thesiliconP-channelEnhancedID-16A

VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrenchPD3.1W

technologywhichreducetheconductionloss,improveswitchingRDS(ON)Typ6.2mΩ

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thisdeviceis

suitableforuseasaloadswitchandPWMapplications.Thepackage

formisSOP8,whichaccordswiththeRoHSstandard.

Features:

FastSwitching

LowONResistance(Rdson≤7.8mΩ)

LowGateCharge

LowReversetransfercapacitances

100%SinglePulseavalancheenergyTest

Applications:

Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.

Absolute(Tj=25℃unlessotherwisespecified)

SymbolParameterRatingUnits

VDSSDrain-to-SourceVoltage-30V

ContinuousDrainCurrentTC=25°C-16A

ID

ContinuousDrainCurrentTC=100°C-10A

a1

IDMPulsedDrainCurrentTC=25°C-64A

VGSGate-to-SourceVoltage±20V

a2

EASAvalancheEnergy94.09mJ

PowerDissipationTC=25°C3.

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