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SiliconN-ChannelPowerMOSFET
CRTM058N04L2-G
GeneralDescription：VDSS40V
I（）60A
CRTM058N04L2-G,thesiliconN-channelEnhancedDSiliconlimitedcurrent
I（）50A
VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrenchDPackagelimitedcurrent
PD46.2W
technologywhichreducetheconductionloss,improveswitching
RDS(ON)Typ4.9mΩ
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thisdeviceis
suitableforuseasaloadswitchandPWMapplications.The
packageformisPDFN5×6,whichaccordswiththeRoHSstandard.
Features：
FastSwitching
LowONResistance(Rdson≤5.8mΩ)
LowGateCharge
LowReversetransfercapacitances
100%SinglePulseavalancheenergyTest
HalogenFree
Applications：
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.
Absolute（Tj=25℃unlessotherwisespecified）
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage40V
ContinuousDrainCurrentT=25°C（）60A
CSiliconlimited
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