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SiliconN-ChannelPowerTrenchMOSFETR
CS12N06AE-G
GeneralDescriptionVDSS60V
CS12N06AE-G,thesiliconN-channelEnhancedI（）12A
DSiliconlimitedcurrent
VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrenchtechnologyP(T=25℃)3.2W
DC
whichreducetheconductionloss,improveswitchingRDS(ON)Typ10.5mΩ
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.ThepackageformisSOP-8,
whichaccordswiththeRoHSstandard.
Features
lFastSwitching
lLowONResistance
lLowGateCharge
lLowReversetransfercapacitances
l100%SinglePulseavalancheenergyTest
lHalogenfree
Applications
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.
Absolute（TA=25unlessotherwisespecified）：
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage60V
ContinuousDrainCurrent12A
ID
ContinuousDrainCurrentTA=100C8A
a1
IDMPulsedDrainCurrent48A
VGS
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