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团体标准

T/XXXXXXX—XXXX

新型非易失性存储器基本性能测试方法

Basicperformancetestingmethodsforemergingnon-volatilememory

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

  发布

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目次

前言…………………II

1范围………………1

2规范性引用文件…………………1

3术语和定义………………………1

4磁存储器测试……………………4

4.1抗磁性测试…………………4

4.2读干扰率/写错误率测试…………………6

4.3数据保持时间测试…………7

5相变存储器测试………………10

5.1测试条件…………………10

5.2测试原理…………………11

5.3存储窗口测试……………11

5.4置位测试…………………12

5.5复位测试…………………13

5.6耐久测试…………………14

5.7数据保持时间测试………15

6阻变存储器测试………………15

6.1测试条件…………………15

6.2测试原理…………………16

6.3Forming成功率测试……………………16

6.4置位/复位测试……………17

6.5耐久测试…………………17

6.6数据保持时间测试………18

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前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由浙江省半导体行业协会提出并归口。

本文件起草单位：浙江大学微纳电子学院。

本文件主要起草人：程志渊、黄平洋、刘晨曦、杨吉龙。

II

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新型非易失性存储器基本性能测试方法

1范围

本标准给出了磁随机存储器（MagneticR