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SiliconN-ChannelPowerMOSFET
CRTB360N06L-G
GeneralDescriptionVDSS60V
CRTB360N06L-G,thesiliconN-channelEnhancedID7A
VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrenchtechnologyP(T=25℃)2.6W
Da
whichreducetheconductionloss,improveswitchingRDS(ON)Typ@Vgs=10V26mΩ
RDS(ON)Typ@Vgs=4.5V31mΩ
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.Thepackageformis
SOT-223,whichaccordswiththeHalogenFreestandard.
Features
lFastSwitching
lLowONResistance
lLowGateCharge
lLowReversetransfercapacitances
l100%SinglePulseavalancheenergyTest
lHalogenFree
Applications
lPowerswitchcircuitofadaptorandcharger.
lSynchronusRectificationinDC/DCConverters
AbsoluteTA=25℃unlessotherwisespecified）：
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage60V
ContinuousDrainCurrentTA=25C7A
ID
ContinuousDrainCurrentTA=100C4.5A
a1
IDMPulsedDrainCurrentTA=25C28
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