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易错类型12工艺流程“四个”易错提醒

易错知识梳理

一、解题思路

1．从题干中获取有用信息，了解生产的产品。

2．分析流程中的每一步骤，从几个方面了解流程：①反应物是什么；②发生了什么反应；③该反应造成了什么后果，对制造产品有什么作用。抓住一个关键点：一切反应或操作都是为了获得产品。

3．从问题中获取信息，帮助解题。多数试题重点考查利用题干中的信息解决问题的能力以及物质的制备，考查有关化学实验操作，同时考查化学方程式的书写技能。

关键：实验原理、装置原理、操作原理三结合。

二、题型结构、解题方法

题型结构：题头(引入信息)→题干(提取信息，应用解题)→题尾(得出结论或产品)。

解题方法和思路：关注流程“三线（去线、进线、可逆线）”和“核心”

1.关注“箭头”：箭头进入的是投料（即反应物）；出去的是生成物（包括主产物和副产物）；（回头的箭头）表示循环利用的物质

2.关注方框内所指

3.关注流程

三、考向分析

1.原料预处理的方法

（1）粉碎或研磨目的是：增大固液（或固气或固固）接触面积，加快反应（溶解）速率，增大原料的转化率（或浸取率）。

（2）煅烧或灼烧目的是：不易转化的物质转为容易提取的物质；其他矿转化为氧化物；除去有机物；除去热不稳定的杂质

（3）酸浸目的是：溶解、去氧化物（膜）、调节pH促进水解（沉淀）

（4）碱溶目的是：去油污，去铝片氧化膜，溶解铝、二氧化硅，调节pH促进水解（沉淀）

（5）加入氧化剂：转化为易于被除去（沉淀）的离子。

（6）煮沸：除去溶解在溶液中的气体，如氧气

2.控制反应条件的方法

Ⅰ.温度的控制

（1）加热：加快反应速率或溶解速率；除杂，除去热不稳定的杂质，如NaHCO3、Ca(HCO3)2、KMnO4、I2、NH4Cl等物质；使沸点相对较低或易升华的原料气化。但要注意避免反应物或生成物的过热分解。

（2）降温：防止某物质在高温时会溶解(或分解)；使某个沸点较高的产物液化，使其与其他物质分离；降低晶体的溶解度，减少损失。

（3）控温：（用水浴带温度计便于控温且受热均匀）防止某种物质温度过高时会分解或挥发；为了使某物质达到沸点挥发出来；使催化剂的活性达到最好；防止副反应的发生。

（4）降温或减压可以减少能源成本，降低对设备的要求，达到绿色化学的要求。

Ⅱ.调节溶液的pH:

（1）目的：使溶液中的金属阳离子形成氢氧化物完全沉淀而除去

（2）需要的物质：含主要阳离子的难溶性氧化物或氢氧化物或碳酸盐，即能与H+反应，使pH增大的物质如用MgO、Mg（OH）2等等。

（3）原理：加入的物质能与溶液中的H+反应，降低了的浓度，增大pH

（4）pH控制的范围：大于除去离子的完全沉淀值，小于主要离子的开始沉淀的pH

Ⅲ.使用催化剂目的是：提高反应速率，但使用时必须注意其活性温度范围。

3.提纯分离的方法

（1）纯物质溶液得到晶体：蒸发结晶（NaCl型）或蒸发浓缩（至有晶体出现为止），冷却结晶（KNO3型和含有结晶水的晶体）

（2）混合溶液（分离A和B）：

蒸发结晶，趁热过滤（得NaCl型），将滤液冷却结晶，过滤（得KNO3型）

加热浓缩→冷却结晶→过滤→洗涤→干燥

（3）沉淀洗涤

①沉淀洗涤的目的：除去沉淀表面附着或沉淀中包夹的可溶性离子。

②洗涤方法：向漏斗内加蒸馏水至浸没沉淀，待水自然流出后，重复操作2～3次。

③误差分析：若沉淀不洗涤或洗涤不干净，则使沉淀的质量偏高。若沉淀洗涤次数过多，则会使部分沉淀溶解而使其质量偏低。

④趁热过滤：减少结晶损失；提高晶体纯度

（4）工业流程的主要操作：结晶、重结晶、洗涤、干燥、灼烧、分液、重复操作2-3次等。

4.工艺流程的评价

①设计方案的科学性:能否达到实验目的，杂质是否完全除去，是否引入新的杂质等。

②安全性和简便性:尽量选用较温和的反应条件，避免高温、高压条件。

③对环境的影响:是否符合绿色化学理念，是否产生有毒气体等。

④节约性:原料利用率要尽量高。

易错陷阱

易错陷阱1：流程中核心反应易错提醒

易错典例

（2023年四川省德阳市中考化学真题）芯片是电脑、手机、智能家电等的核心部件，是用纯度极高的单质硅制成的。目前，普遍利用石英砂（主要成分是作原料，采用“三氯硅烷（还原法”制备高纯硅，其生产流程如图所示。

回答下列问题：

（1）中的化合价为。

（2）粗硅的主要成分是，杂质不参与反应，反应Ⅱ的化学方程式为。

（3）生产流程中可以被循环利用的物质是。

避错大招

错误类型

错误原因解读

书写陌生的化学方程式出现错误

不辨反应物和生成物

箭头由物质指向方框的是反应物，箭头离开方框指向的物质是生成物

忘记配平或错误

若化学方程式配不平可根据反应物或生成物一方所缺的原子(通常是氧原子或