士兰微一级代理商CS7N10AQ2-1深圳阜康科技.pdf

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SiliconN-ChannelPowerMOSFETR

CS7N10AQ2-1

GeneralDescriptionVDSS100V

CS7N10AQ2-1,thesiliconN-channelEnhancedID7A

VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrenchPD16.8W

technologywhichreducetheconductionloss,improveswitchingRDS(ON)Typ113mΩ

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thisdeviceis

suitableforuseasaloadswitchandPWMapplications..The

packageformisDFN33-8L,whichaccordswiththeRoHS

standard..

Features

lFastSwitchingTopView

lLowONResistance(Rdson150mΩ)

lLowGateCharge

lLowReversetransfercapacitances

l100%SinglePulseavalancheenergyTest

Applications

Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.

Absolute（TC=25℃unlessotherwisespecified）

SymbolParameterRatingUnits

VDSSDrain-to-SourceVoltage100V

ContinuousDrainCurrent7.0A

ContinuousDrainCurrentTC=100°C5.6A

IDMPulsedDrainCurrent28.0A

VGSGate-to-SourceVoltage±20V

EASAvalancheEnergy

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