士兰微一级代理商CRTD085N06N2-G深圳阜康科技.pdf

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CRTD085N06N2-G

TrenchN-MOSFET60V,6.5mΩ,85A

FeaturesProductSummary

•UsesCRMadvancedTrenchtechnologyVDS60V

•Extremelylowon-resistanceRDS(on)RDS(on)typ.6.5mΩ

•ExcellentQxRproduct(FOM)ID(Siliconlimit)85A

gDS(on)

•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria

100%DVDSTested

Applications100%AvalancheTested

•Motorcontrolanddrive

•Electricaltools

•Lithiumbatteryprotection

PackageMarkingandOrderingInformation

Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty

CRTD085N06N2-GT085N06N2TO-252ReelN/AN/A2500pcs

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

Drain-sourcevoltageVDS60V

Continuousdraincurrent

T=25°C(Siliconlimit)a185

CIDA

T=25°C(Packagelimit)a160

T=100°C(Siliconlimit)

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