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CRTD028N03L2-G
GeneralDescription:VDSS30V
I()160A
CRTD028N03L2-G,thesiliconN-channelEnhancedDSiliconlimitedcurrent
I()60A
DPackagelimitedcurrent
VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrench
PD99.2W
technologywhichreducetheconductionloss,improveswitching
RDS(ON)Typ2.05mΩ
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thisdevicecan
beusedinloadswitchandpowerswitchapplications.Thepackage
formisTO-252,whichaccordswiththeRoHSstandard.
Features:
FastSwitching
LowONResistance(Rdson≤2.7mΩ)
LowGateCharge
LowReversetransfercapacitances
100%SinglePulseavalancheenergyTest
Applications:
loadswitchandpowerswitchapplications.
Absolute(Tj=25℃unlessotherwisespecified)
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage30V
ContinuousDrainCurrentTC=25°C160A
IDContinuousDrainCurrentT=25°C()60A
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