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SiliconN-ChannelPowerMOSFET
CRTM024N03L2-G
GeneralDescription:VDSS30V
I()170A
CRTM024N03L2-G,thesiliconN-channelEnhancedDSiliconlimitedcurrent
I()60A
DPackagelimitedcurrent
VDMOSFETs,isobtainedbythehighdensityTrench
PD104.1W
technologywhichreducetheconductionloss,improveswitching
RDS(ON)Typ1.7mΩ
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thisdevicecan
beusedinloadswitchandpowerswitchapplications.Thepackage
formisPDFN5*6,whichaccordswiththeRoHSstandard.
Features:
FastSwitching
LowONResistance(Rdson≤2.2mΩ)
LowGateCharge
LowReversetransfercapacitances
100%SinglePulseavalancheenergyTest
HalogenFree
Applications:
loadswitchandpowerswitchapplications.
Absolute(Tj=25℃unlessotherwisespecified)
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage30V
ContinuousDrainCurrentTC=25°C170A
IDContinuousDrainCurrentT=25°C(
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