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磷化铟基础知识单选题100道及答案解析

1.磷化铟的化学式是（）

A.InPB.In2PC.In3PD.In4P

答案：A

解析：磷化铟的化学式为InP。

2.磷化铟属于（）

A.单质B.化合物C.混合物D.氧化物

答案：B

解析：磷化铟由两种元素组成，属于化合物。

3.磷化铟的晶体结构是（）

A.面心立方B.体心立方C.闪锌矿型D.氯化钠型

答案：C

解析：磷化铟具有闪锌矿型晶体结构。

4.磷化铟是一种（）

A.导体B.半导体C.绝缘体D.超导体

答案：B

解析：磷化铟是重要的半导体材料。

5.下列不是磷化铟的应用领域的是（）

A.光通信B.集成电路C.航空航天D.石油化工

答案：D

解析：石油化工领域通常不使用磷化铟。

6.磷化铟的禁带宽度约为（）

A.0.35eVB.1.35eVC.2.35eVD.3.35eV

答案：B

解析：磷化铟的禁带宽度约为1.35eV。

7.制备磷化铟薄膜常用的方法是（）

A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.溶胶-凝胶法D.水热法

答案：B

解析：化学气相沉积常用于制备磷化铟薄膜。

8.磷化铟在常温下的电阻率为（）

A.10^(-3)Ω·cmB.10^(-6)Ω·cmC.10^3Ω·cmD.10^6Ω·cm

答案：B

解析：磷化铟在常温下的电阻率通常在10^(-6)Ω·cm数量级。

9.下列元素与磷化铟形成的固溶体稳定性较好的是（）

A.砷化铟B.磷化镓C.氮化镓D.氧化锌

答案：A

解析：砷化铟与磷化铟的结构和性质相似，形成的固溶体稳定性较好。

10.磷化铟的电子迁移率比硅的（）

A.低B.高C.相等D.无法比较

答案：B

解析：磷化铟的电子迁移率高于硅。

11.磷化铟的光学性质主要表现为（）

A.高透光性B.强反射性C.发光特性D.吸收特性

答案：C

解析：磷化铟具有发光特性。

12.下列关于磷化铟的说法错误的是（）

A.硬度较大B.脆性材料C.耐高温D.化学性质稳定

答案：A

解析：磷化铟硬度不大，属于脆性材料，耐高温且化学性质相对稳定。

13.磷化铟的热导率比锗的（）

A.低B.高C.相等D.无法比较

答案：B

解析：磷化铟的热导率高于锗。

14.用于生长磷化铟单晶的方法是（）

A.直拉法B.区熔法C.布里奇曼法D.浮区法

答案：C

解析：布里奇曼法常用于生长磷化铟单晶。

15.磷化铟在微波领域的应用主要是因为其（）

A.低损耗B.高增益C.宽频带D.以上都是

答案：D

解析：磷化铟在微波领域应用广泛，因其具有低损耗、高增益、宽频带等优点。

16.磷化铟的能隙类型是（）

A.直接能隙B.间接能隙C.半直接能隙D.以上都不是

答案：A

解析：磷化铟具有直接能隙。

17.下列哪种器件通常不用磷化铟制造（）

A.激光二极管B.太阳能电池C.电阻器D.晶体管

答案：C

解析：电阻器通常不用磷化铟制造。

18.磷化铟的晶格常数约为（）

A.0.587nmB.0.608nmC.0.648nmD.0.708nm

答案：A

解析：磷化铟的晶格常数约为0.587nm。

19.磷化铟的密度约为（）

A.4.78g/cm3B.5.78g/cm3C.6.78g/cm3D.7.78g/cm3

答案：B

解析：磷化铟的密度约为5.78g/cm3。

20.下列对磷化铟的蚀刻方法中，常用的是（）

A.湿法蚀刻B.干法蚀刻C.激光蚀刻D.等离子体蚀刻

答案：A

解析：湿法蚀刻是对磷化铟常用的蚀刻方法。

21.磷化铟的折射率约为（）

A.3.0B.3.5C.4.0D.4.5

答案：B

解析：磷化铟的折射率约为3.5。

22.磷化铟的导带有效质量比价带有效质量（）

A.大B.小C.相等D.无法比较

答案：B

解析：磷化铟的导带有效质量小于价带有效质量。

23.下列不属于磷化铟的优点的是（）

A.高频性能好B.噪声低C.成本低D.工作温度范围宽

答案：C

解析：磷化铟成本相对较高，不是其优点。

24.磷化铟的熔点约为（）

A.1060℃B.1160℃C.1260℃