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SiliconN-ChannelPowerMOSFETR
○
CS9N20A8R
GeneralDescription：VDSS200V
CS9N20A8R,thesiliconN-channelEnhancedID9A
VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnologyPD(TC=25℃)75W
whichreducetheconductionloss,improveswitchingRDS(ON)Typ0.24Ω
performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor
canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem
miniaturizationandhigherefficiency.Thepackageformis
TO-220AB,whichaccordswiththeRoHSstandard.
Features：
FastSwitching
LowONResistance(Rdson≤0.28Ω)
LowGateCharge(TypicalData:12.6nC)
LowReversetransfercapacitances(Typical:8.8pF)
100%SinglePulseavalancheenergyTest
Applications：
Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.
Absolute（T=25℃unlessotherwisespecified）：
J
SymbolParameterRatingUnits
VDSSDrain-to-SourceVoltage200V
ContinuousDrainCurrentTC=25°C9A
ID
ContinuousDrainCurrentTC=100°C5.4A
a1
IDMPulsedDrainCurrentTC=25°C36
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