芯控源一级代理商AGMH022P10D VER2.65深圳阜 康科技.pdf

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AGMH022P10D

●GeneralDescription

TheAGMH022P10Dcombinesadvancedtrench

Prdu

octSummary

MOSFETtechnologywithalowresistance

packagetoprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

-100V22mΩ-65A

●Features

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnologyTOuan

-25gtio

2PConfir

in

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

nd

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGMH022P10DAGMH022P10DTO-252330mm16mm2500

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)-100V

VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V

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