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《稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备及其光电性能研究》
一、引言
随着科技的飞速发展，稀土掺杂的半导体材料因其独特的物理和化学性质，在光电子器件、太阳能电池、生物医学等领域展现出广泛的应用前景。Al1-xInxN作为一种典型的III-V族氮化物半导体材料，其掺杂稀土后的光电性能更是引起了众多研究者的关注。本文将重点研究稀土掺杂Al1-xInxN薄膜的制备方法，以及其光电性能的优化和探究。
二、材料与方法
（一）材料准备
实验所需的原材料包括：稀土元素（如Eu、Ce等）的化合物，铝（Al）和铟（In）的金属靶材，氮气（N2）等。所有材料均需符合高纯度要求。
（二）制备方法
本实验采用脉冲激光沉
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