半导体激光器芯片频率响应的测量方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1533000A

(43)申请公布日2004.09.29

(21)申请号C6

(22)申请日2003.03.25

(71)申请人中国科学院半导体研究所

地址100083北京市海淀区清华东路甲35号

(72)发明人徐遥王圩

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司

代理人汤保平

(51)Int.CI

H01S5/00

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体激光器芯片频率响应的测量

方法

(57)摘要

一种半导体激光器芯片频率响应的

测量方法，包括如下步骤：制作微带线；

制作测试和校准用金属底板；将微带线焊

接在金属底板上，并焊上与矢量网络分析

仪匹配的射频同轴连接器和匹配电阻，做

成测试夹具和校准夹具；把焊在热沉上的

芯片焊在测量夹具上制成被测器件；用矢

量网络分析仪加光探测器测量被测器件的

频率响应；测量校准夹具的频率响应；测

量校准夹具的频率响参数；用下列公式求

出测试夹具的转移矩阵；得到测试夹具的

频率响应；利用测试系统测出被测器件的

网络参数即被测器件的频率响应，减去测

试夹具的频率响应得到芯片的频率响应。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、一种半导体激光器芯片频率响应的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)制作微带线；

(2)制作测试和校准用金属底板；

(3)将微带线焊接在金属底板上，并焊上与矢量网络分析仪匹配的射频同轴连接器

和匹配电阻，做成测试夹具和校准夹具；

(4)把焊在热沉上的芯片焊在测量夹具上制成被测器件；

(5)用矢量网络分析仪加光探测器测量被测器件的频率响应；

(6)测量校准夹具的频率响应为mathsmathS/mim/mi=/mo

mtableS/mim/mi11/mnS/mim/mi12/mn

S/mim/mi21/mnS/mim/mi22/mn;/mo

/math并用公式换算成校准夹具B转移矩阵

mathsmathA/mim/mi=/mo

mtablea/mim/mib/mim/mic/mim/mi

d/mim/mi;/mo/math

(7)测量校准夹具的频率响的ssub11/sub参数；

(8)用下列公式求出测试夹具的转移矩阵mathsmathA/mi=/mo

mtablea/mib/mic/mid/mi;/mo/math其

中a＝[bsubm/sub*(bsubm/sub-

bsubm/sub*ssub11/sub+csubm/sub+csubm/sub*ssub11/sub-

2*asubm/sub+2*asubm/sub*ssub11/sub)/(-2*(bsubm/sub-

bsubm/sub*ssub11/sub+csubm/sub+csubm/sub*ssub11/sub-

2*asubm/sub+2*asubm/sub*ssub11/sub)*csubm/sub*(bsubm/

sub*ssub11/sub-

bsubm/sub+csubm/sub+csubm/sub*ssub11/sub))^(1/2)]b＝[-

(bsubm/sub*ssub11/sub-

bsubm/sub+csubm/sub+csubm/sub*ssub11/sub)*(-

bsubm/sub+sub2/sub*asubm/sub)/(-2*(bsubm/sub-

bsubm/sub*ssub11/sub+csubm/sub+csubm/sub*ssub11/sub-

2*asubm/sub+2*asubm/sub*ssub11/sub)*csubm/sub*(bsubm/

sub*ssub11/sub-

bsubm/sub+csubm/sub+csubm/sub*ssub11/sub))^(1/2)