模拟电子技术基本概念题---填空题---答案 .pdfVIP

填空题

二极管：

1.在半导体中•漂移电流是在作用下形成的，扩散电流是在作用下形成的。（电场，浓度差）

2.二极管最主要的特点是;确保二极管安全工作的两个主要参数分别是和。（单向导电性，

IF,UR)

3.在室温（27度）时，锗二极管的死区电压约_____________V，导通后在较大电流下的正向压降约__________________V;硅二极管的

死区电压约__________V，导通后在较大电流下的正向压降约___________________V。（0.1,0.3,0.5,0.7）

4.二极管的交流等效电阻rd随静态工作点的增大而___________________。（减小）

5.硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在__________________状态。（反向击穿区）

晶体管及放大电路基础：

6.晶体管从结构上可分成_____________和___________两种类型：根据使用的半导体材料不同可分成__________________和__________管。

它们工作时有___________和__________两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。（NPN，PNP;硅，锗；电子，

空穴）

7.NPN型和PNP型晶体管的区别是________________（P区和N区的位置不同）

8.晶体管的穿透电流ICEO是集一基反向饱和电流ICBO的_________________倍。一般希望尽量选用ICEO_______________的管子（1+3,

小）

9.晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对___________________电流的控制作用。（集电极）

10.已知晶体管=99,IE=1mA,ICBO=0，贝UIB=,,IC=____________。（0.01mA,99mA）

3

11.晶体管在放大电路中三种接法分别是________________、___________和__________。（共射，共集，共基）

。

12.当温度上升时.晶体管的管压降UBE、电流放大系数3及反向饱和电流ICBO分别将________________________、_________和__________

（降低，增大，增大）

13.从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。硅管的死区电压约为___________，锗管约为___________;晶体管在

导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为___________________.锗管的UBE约为________________。（0.50.10.70.2）

。

14.从晶体管的输出特性可知，当基极电流增大，集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而__________

（减小）

15.温度升高时，晶体管的共射极输入特性曲线将_____________________，输出特性曲线将____________。而且输出特性曲线的间隔

。

将___________（左移，上移，增大）

16.晶体管放大电路中，测得晶体管三个引脚对地的电位分别为