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集成电路设计实验报告

院别：电信学院专业：电子科学与技术

班级：\姓名：学号：\组序：52

实验（一）题目名称：熟悉L-EDIT软件工具

成绩：教师签名：批改时间：

一、实验目的：

学会使用集成电路版图设计L-EDIT软件工具，熟练画电路版图的操作指令和

各种快捷命令，并熟悉应用特定工艺库即工艺文件来实现电路。通过该实验，使学

生掌握L-EDIT的设计方法，加深对课程知识的感性认识，增强学生的设计与综合

分析能力，为将来成为优秀的后端工程师做准备。

二、实验要求：

如将设计好的电路制成实际使用的集成块，就必须利用版图工具将设计的电

路采用标准工艺文件转换成可以制造的版图。然后再将版图提交给集成电路制造厂

家（foundry），完成最后的集成块制造，所以画版图的本质就是画电路原理图。

在画版图时，首先要明白工艺文件的含义，每一种工艺文件代表一条工艺线

所采用的光刻尺寸，以及前后各个工序等等；其次要懂得所使用的工具步骤及各个

菜单及菜单栏的内容，以便熟练使用该软件；最后对所画版图进行验证，确保不发

生错误。

此外，还必须了解所使用的版图设计法则，对于不同的工艺尺寸其法则有所

不同，这就要求设计者在应用该软件时，必须熟悉相应的设计法则，为完成正确的

版图做准备。该实验原理是画常用的NMOS管，画图时要求熟悉NMOS的工艺过程及

设计法则。

三、实验方法：

熟悉L-EDIT版图软件工具及工艺库相关内容，熟练该软件工具菜单功能及

使用方法。以PMOS器件为例，在调用相应的工艺文件基础上，画元器件的物理实

现版图（如选用几微米的工艺线、设计法则等）,设计完成后运用该软件的设计规

则对所画的版图进行DRC验证，并修改不正确的部分，直至设计无错误。

四、实验内容：

1.安装L-EDIT仿真软件：先点击Daemon.exe文件，用虚拟光驱将.ISO文件

载入，并点击L-EDIT的Setup.exe文件即可。

2.按照Crack方式注册该软件，并运行。

3.以MOSIS提供的morbn20.tdb工艺库为例，从ReadMe中可以了解许多信息：

工艺提供制造商、工艺尺寸、设计规则及器件剖面图等。

4.以morbn20.tdb工艺库为例，画NMOS版图。File→New→CopyTDBsetup

from。

5.点击Browse选择根目录Tanner→LEDIT83。

6.点击LEDIT83→Samples。

7.点击Samples→tech。

8.点击tech→mosis。

9.在mosis文件夹下，选择工艺库文件morbn20.tdb。

10.版图的详细设计规则：Setup→Design，也可在file→open→morbn20.tdb。

包含有工艺线大小、设计规则、工艺流程等。

11.画NWell掩模板，其中宽度W=32µm高度H=20µm。如果对需要对图

形进行修改，先将光标箭头放在该图形的边缘，点击鼠标中键即可完成拉长或

缩短。

12.画Pselect掩模板，其中宽度W=18µm高度H=15µm。

13.画Active有源区掩模板，其中宽度W=14µm高度H=6µm。该有源区

与左边、右边和下边的间距都为2µm。

14.画Nselect掩模板，其中宽度W=9.5µm高度H=15µm。

15.画Active有源区掩模板，其中宽度W=5.5µm高度H=6µm。

16.画Poly多晶硅，其中宽度W=2µm；高度H=10µm及宽度W=6µm；高

度H=6µm两图形。

17.画Activecontact有源区接触孔及Pl