传感器与传感电路技术项目1习题及答案.docxVIP

项目练习

一、单项选择题

1.某色环电阻器的色环标志为黄、紫、红、金，其标称阻值和允许偏差分别为（）。

A4.7KΩ，±1%B4.7Ω，±5%C4.7KΩ，±5%D47Ω，±5%

2.某色环电阻器的色环标志为红、红、黑、银、棕，其标称阻值和允许偏差分别为（）。

A2.2Ω，±1%B220Ω，±1%C22Ω，±2%D220Ω，±2%

3.某电阻器标志为5Ω1J，其标称阻值和允许偏差分别为（）。

A5Ω，±1%B5.1Ω，±10%C5Ω，±5%D5.1Ω，±5%

4.某电阻器标志为6R2K，其标称阻值和允许偏差分别为（）。

A2KΩ，±6%B6.2Ω，±10%C62Ω，±10%D6Ω，±2%

5.某贴片电阻器标志为104，其标称阻值为（）。

A104ΩB100KΩC10KΩD104KΩ

6.用指针式万用表测量电阻值，若量程为“×10”挡，指针指示5.1，则电阻值为（）。

A5.1ΩB51ΩC510ΩD0.51Ω

7.硅和锗二极管的导通压降分别为（）。

A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V

8.硅和锗二极管的阈值电压分别为（）。

A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V

9.利用二极管的（），可使二极管起整流作用。

A反向击穿特性B放大特性C单向导电性D光敏性

10.利用二极管的反向击穿特性，可使二极管起（）。

A整流作用B稳压作用C开关作用D放大作用

11.图1-43所示电路中，UF=（）。

A0VB3VC0.7VD3.7V

图1-

图1-441.12题图

图1-431.11题图

12.图1-44所示电路中，UF=（）。

A0VB3VC0.7VD3.7V

13.识别塑料封装晶体管的极性时，可面向文字标识面（平面），从左至右分别是（）。

AC-B-EBE-B-CCB-C-EDC-E-B

14.硅晶体管饱和导通时，UBE和UCE分别为（）。

A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V

15.锗晶体管饱和导通时，UBE和UCE分别为（）。

A0.7V，0.3VB0.3V，0.7VC0.5V，0.1VD0.1V，0.5V

16.测量晶体管型号时，若黑表笔接基极测得的极间电阻值小于红表笔接基极测得的极间电阻值，则为（）。

APNP型BNPN型CN沟道DP沟道

17.图1-45所示硅晶体管反相器电路中，UI=3V时，输出UO不超过

图

图1-45晶体管反相器

18.集成运算放大器的“虚短”特性是指（）。

A同相输入端电位与反相输入端电位近似相等

B同相输入端电位与反相输入端电位近似等于0

C同相输入端电流与反相输入端电流近似相等

D同相输入端电流与反相输入端电流近似为0

二、判断题（正确：T，错误：F）

1.串联的电阻器能够分压，每个电阻器所分得的电压与其阻值成反比。（）

2.光敏电阻的电极常采用梳状图案，是为了获得更高的灵敏度。（）

3.发光二极管的电极有长短之分，其中长的电极为阴极。（）

4.硅晶体管饱和导通时，其集-射极电压不超过0.7V。（）

5.集成运算放大器的“虚断”特性是指在电路参数选择合适时，同相输入端的电流与反相输入端的电流近似为0。（）

6.当电压比较器的同相输入端电位高于反相输入端时，输出为高电平。（）

7.光敏电阻在光照强度大于100LX时的电阻值称为亮阻。（）

8.当晶体管的发射结和集电结都正向偏置时，晶体管饱和导通。（）

9.电磁继电器的常开触点是指在线圈得电时才闭合的触点。（）

10.续流二极管使用时需与电磁性器件反向并联。（）

三、填空题

1.用数字式万用表20Ω