传感器与检测技术期末测试题3套含答案(大学期末复习资料)优选.pdf

期末测试题一

一、单项选择题（每题1分，共15分）

1、金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由（）来决定的。

A、贴片位置的温度变化

B、电阻丝几何尺寸的变化

C、电阻丝材料的电阻率变化

D、外接导线的变化

2、不能用涡流式传感器进行测量的是（）。

A、位移

B、材质鉴别

C、探伤

D、非金属材料

3、不能采用非接触方式测量的传感器是：（）。

A、霍尔传感器

B、光电传感器

C、热电偶

D、涡流传感器

4、通常所说的传感器核心组成部分是指：（）

A、敏感元件和传感元件

B、敏感元件和转换元件

C、转换元件和调理电路

D、敏感元件、调理电路和电源

5、下列四种光电元件中，基于外光电效应的元件是：（）

A、光敏二极管

B、硅光电池

C、光电管

D、光导管

6、为提高电桥的灵敏度，可采取的方法是：（）o

A、半桥双臂各串联一片电阻应变片；

B、半桥双臂各并联一片电阻应变片；

C、适当提高电桥的电源电压；

D、增大应变片的初始电阻值。

7、一阶传感器输出达到稳态值的10%到90%所需的时间是（）。

A、延迟时间

B、上升时间

C、峰值时间

D、响应时间

8、传感器的下列指标全部属于静态特性的是（）。

A、线性度、灵敏度、阻尼系数

B、幅频特性、相频特性、稳态误差

C、迟滞、重复性、漂移

D、精度、时间常数、重复性

9、属于传感器动态特性指标的是（）o

A、重复性

B、固有频率

C、灵敏度

D、漂移

10、影响金属导电材料应变灵敏度系数K的主要因素是（）。

A、导电材料电阻率的变化

B、导电材料几何尺寸的变化

C、导电材料物理性质的变化

D、导电材料化学性质的变化

11、电阻应变片的线路温度补偿方法有（）o

A、差动电桥补偿法

B、补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法

C、补偿线圈补偿法

D、恒流源温度补偿电路法

12、如将变面积型电容式传感器接成差动形式，其灵敏度将（）。

A、保持不变

B、增大为原来的一倍

C、减小一倍

D、增大为原来的两倍

13、试题关键字：变间隙式。当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加

时，将引起传感器的（）o

A、灵敏度增加

B、灵敏度减小

C、非线性误差增加

D、非线性误差不变

14、试题关键字：平衡条件。交流电桥的平衡条件为（）。

A、相邻桥臂阻抗值乘积相等

B、相对桥臂阻抗值乘积相等

C、相对桥臂阻抗值比值相等

D、相邻桥臂阻抗值之和相等

15、将一支灵敏度为0.08mV/°C的热电偶与电压表相连，电压表接线端处温

度为50°Co电压表上读数为60mV,则热电偶热端温度为（）°C。

A、600

B、750

C、850

D、800

二、不定项选择题（每题2分，共10分）

1、利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（ABCD）。

A、磁场

B、电功率

C、载流子浓度

D、载流子类型

2、电容式传感器中输入量与输出量的关系为线性的有（AB）。

A、变面积型电容传感器

B、变介质型电容传感器

C、变电荷型电容传感器

D、变极距型电容传感器

3、电阻应变片的线路温度补偿方法有（ABD）。

A、差动电桥补偿法

B、补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法

C、补偿线圈补偿法

D、恒流源温度补偿电路法

4、当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离d增加时，将引起传感器的

（BD）。

A、灵敏度增加

B、灵敏度减小

C、非统性误差增加

D、非线性误差减小

5、在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（BD）。

A、外光电效应

B、内光电效应

C、光电发射

D、光导效应

三、名词解释（每题2分，共10分）

1.标定：

2.传感器：

3.动特性：

4.多普勒效应：

5.分辨力：

四、判断题（每题1分，共10分）

1,压电式传感器具有体积小、结构简单等优点，适合于频率较低的被测量的测

量，甚至是静态量的测量。（）

2,光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流

要大。这样光敏电阻的灵敏度就高。（）

3,真值是指一定的时间及空间条件下，某物理量体现的真实数值。真值是客观

存在的，而且是可以测量的。（）

4.线性度是传感器的静态特性之一。（）

5.电涡流式传感器可以进行无接触测量和探伤。（）

6.光电三极管不是根据光电效应原理制成的。（）

7.应变片式压力传感器