电力电子技术智慧树知到答案2024年哈尔滨工程大学 .pdfVIP

电力电子技术哈尔滨工程大学智慧树知到答案2024年

第一章测试

1.以第一只晶闸管的出现作为电力电子技术诞生的标志。

A:错B:对

答案:B

2.从公共电网直接得到的电能是交流的，我们不需要进行电力变换就可以直接

使用。

A:对B:错

答案:B

3.整流变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。

A:错B:对

答案:A

4.逆变变换是由直流电能变换成固定和可调的交流电能的变换过程。

A:错B:对

答案:B

5.斩波变换把幅值固定或变化的直流电变换成可调或恒定直流电。

A:错B:对

答案:B

第二章测试

1.按载流子(电子和空穴)参与导电的情况分单极型、双极型、混合型三种。

A:对B:错

答案:A

2.

能用控制信号控制开通，但不能控制关断的功率半导体器件，称为半控型器

件。

A:错B:对

答案:B

3.

使晶闸管维持导通所必需的最小电流称作维持电流。

A:对B:错

答案:A

4.

可关断晶闸管(GTO)是一种(结构的半导体器件。)

A:三层二结五层三结C:四层三B:

结三层三结D:

答案:C

5.电力MOSFET内部寄生了一个反向二极管，所以不能承受反向电压。（）

A:对B:错

答案:A

6.下面哪种器件属于电压驱动型()

A:igbt

B:gtr

C:scr

D:gto

答案:A

7.擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。

A:错B:对

答案:A

8.

当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流I迅速增大，这种首

C

先出现的击穿是雪崩击穿，称为

A:一次击穿临界饱和B:反向击穿C:D:二次击穿

答案:A

9.下面属于外因过电压的是

A:晶闸管反向阻断恢复过电压B:IGBT关断过电压

C:电力二极管关断过电压雷击过电压D:

答案:D

10.晶闸管串联工作时为了防止静态不均压，可采用并联均压电阻的办法。

A:错B:对

答案:B

第三章测试

1.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是90°。

A:错B:对

答案:A

2.单相桥式全控整流电路接大电感负载时，控制角α最大移相范围是120°。

()

A:对B:错

答案:B

3.

单相桥式半控整流电路带电阻性负载，负载输出电压不会出现负的部分，负

载侧不用并联续流二极管。

A:错B:对

答案:A

4.三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为(电源相电

压有效值为)。

A:对B:错

答案:A

5.在三相半波可控整流电路中，整流输出电压u一周期脉动6次，故该电路

d

为6脉波整流电路。

A:错B:对

答案:B

6.

三相桥式全控整流电路，为确保电路的正常工作，触发脉冲需采用宽脉冲或

双窄脉冲。

A:对B:错

答案:A

7.变压器漏抗对整流电路的影响错误的有(