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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明书
（10）申请公布号
CN101503791B
（43）申请公布日2010.10.20
（21）申请号CN200810066975.9
（22）申请日2008.05.09
（71）申请人深圳深爱半导体有限公司
地址518029广东省深圳市福田区八卦三路光纤小区2栋3楼
（72）发明人侯海峰
（74）专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人郑小粤
（51）Int.CI
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
半导体芯片金硅焊料的合金工艺
（57）摘要
本发明公开了一种半导体芯片金硅焊
料的合金工艺，包括以下步骤：S1、将待合
金的硅片进行表面处理；S2、在真空条件
下，在表面处理后的硅片背面蒸镀一层或多
层金层；S3、将蒸镀有金层的硅片送入快速
退火炉进行合金处理，温度为490-550℃，
时间为10-50秒。本发明采用快速退火炉替
代了传统的管式合金炉，在工艺中具有温度
控制精确、升温及降温速度快、处理时间短
的特点；而且快速退火炉的应用可以实现硅
片的单片进及单片出，取代了使用管式合金
炉时每次数百片的批量进出料，使得硅片受
热均匀，故而大大提高了成品率。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2009-08-12公开公开
2009-10-07实质审查的生效实质审查的生效
2010-10-20授权授权
专利权人的姓名或者名称、地专利权人的姓名或者名称、地
2011-12-28
址的变更址的变更
权利要求说明书
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说明书
半导体芯片金硅焊料的合金工艺的说明书内容是请下载后查看
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