薄膜物理期末考试孙喜莲版解析.pdfVIP

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薄膜物理与技术(孙喜莲版)

一:填空题

1.为了研究真空和实际使用方便,根据各压强范围内不同的物理特点,把真空

划分为,,,四个区域。

2.在真空条件下,分子的平均自由程可以与容器尺寸相比拟。

3.列举三种气体传输泵,和。

4.气体捕获泵是通过各种材料特有的将被抽气体吸除,以

达到所需真空。

5.真空计种类很多,通常按测量原理可分为和。

6.气体的吸附现象可分为和。

7.化学气相反应沉积的反应器的设计类型可分为,,

和。

8电镀方法只适用于在上沉积金属和合金,薄膜材料在电解液中

是以的形式存在。制备有序单分子膜的方法

是。

9不加任何电场,直接通过化学反应而实现薄膜沉积的方法叫。

10物理气相沉积过程的三个阶段:,

和。

11.在相同条件下,小平面蒸发源的中心膜厚为点蒸发源中心膜厚的

倍。

12.在反应蒸发中,蒸汽原子与活性气体之间的反应主要发生在。

13.溅射过程中所选择的工作区域是,基板常处于

区,阴极和基板之间的距离至少应是宽度的两倍。

14.在气体成分和电极材料一定条件下,起辉电压V只与和

的乘积有关。

15.磁控溅射具有两大特点是和。

16.直流二极溅射依赖离子轰击阴极所发射的次级电子来维

持。

17.射频电极在靶材上的效应使得气体离子对其自发的轰击和溅

射。

18.在离子镀成膜过程中,同时存在和作用,只有当前者

超过后者时,才能发生薄膜的沉积。

19薄膜的形成过程一般分为:、、。

20原子聚集理论中最小稳定核的结合能是以为最小单位不连续变

化的。

21薄膜成核生长阶段的高聚集来源

于:、、。这些结论假设凝聚系数为常

数,基片具有原子级别的平滑度。

22薄膜生长的三种模式

有、、。

23在薄膜中存在的四种典型的缺陷为:

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