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图3-72IGBT栅电荷曲线返回*......3.8MOS场控晶闸管（MCT）1MCT工作原理MCT是在SCR结构中引进一对MOSFET来控制SCR的导通和关断。使MCT导通的MOSFET称为ON-FET，使MCT关断的MOSFET被称为OFF-FET。MCT源胞有两种类型，一种为N-MCT，另一种为P-MCT。P-MCT元胞结构如图3-73（a）所示，一个MCT由许多元胞组成，其等效模型和符号如图（b）所示。N-MCT元胞结构如图（c）所示，其等效模型和符号如图（d）所示。*......图3-73MCT结构、等效模型和符号*......1）N-MCT当门极相对于阳极加正脉冲信号时，靠近门极的下面的的P表面层反型成N型（N沟道），于是一个小的阳极电流从P1+N1-经过沟道和N2-层流出阴极，即ON-FET被接通（OFF-FET被关闭）。该电流恰好为晶体管提供了基极电流，与此同时该晶体管的集电极电流增加，的集电极又是晶体管的基极，从而使晶闸管的正反馈机制发生作用，最后导致MCT导通。MCT中晶闸管部分一旦导通，其通道电阻比激励通道的电阻小的多，因此主电流由晶闸管部分承担，激励通道只维持很小的激励电流。当门极相对于阳极加负脉冲信号时，门极下面的N表面层反型为P型，形成P沟道，则将晶体管的基射极短路，也就是说，从P2基区中抽取电流，从而使晶体管进入关断过程，最后导致晶闸关不能维持导通条件（α1+α21）而关断。*......2）P-MCT当门极相对于阳极加负脉冲信号时，靠近门极的下面的的N表面层反型成P型（P沟道），于是一个小的阳极电流流入P1+层，经过P层和P沟道流向结，即ON-FET被接通（OFF-FET被关闭）。该电流恰好为晶体管提供了基极电流，使该晶体管的集电极电流增加，的集电极又是晶体管的基极，从而使晶闸管的正反馈机制发生作用，最后导致MCT导通。MCT中晶闸管部分一旦导通，其通道电阻比激励通道的电阻小的多，因此主电流由晶闸管部分承担，激励通道只维持很小的激励电流。当门极相对于阳极加正脉冲信号时，门极下面的P表面层反型为N型，形成N沟道，则将晶体管的基射极短路，也就是说，从N1基区中抽取电流，从而使P1+N1P2-晶体管进入关断过程，最后导致晶闸关不能维持导通条件（α1+α21）而关断。对于N-MCT，一般+5V脉冲可以使MCT导通，-10V脉冲可以使MCT关断；对于P-MCT，一般-5V~-15V脉冲可以使MCT导通，+10V脉冲可以使MCT关断。*......2MCT特点MCT和IGBT一样，都具有MOS器件和双极型器件的优点，但其电压和电流容量可以做的比IGBT更大，其主要特点如下：1、通态压降小（为IGBT的1/3，约1.1V）；2、开关速度快，开关损耗小，工作频率可达20Khz;3、可以承受极高的di/dt(2000A/us)和dV/dt(20000V/us)；4、工作温度高（200OC以上）；5、门极驱动电路简单；6、器件阻断电压高，峰值电流大。MCT和IGBT都是场控器件，目前IGBT在开关特性方面比MCT好，在驱动方面也比MCT容易；MCT通态损耗比IGBT低，但其开关损耗比IGBT高。*......练习题1按多子和少子器件对本章所述器件进行分类。2解释基区电导调制效应。3快恢复二极管的动态参数有哪些？用图示说明恢复时间。4按恢复时间划分二极管有那几类？在高频功率电路中常用那些二极管？5晶闸管导通的条件是什么？6维持晶闸管导通的条件是什么？如何使晶闸管由导通变为关断？7晶闸管维持电流和挚住电流有何差别？8如何用万用表判断晶闸管的管脚？9静电感应效应是什么？10达林顿结构是如何防止GTR进入过饱和状态的？11理解VDMOS或（IGBT）的栅极电流波形，曲线斜率的三次变化代表是么？12IGBT的过电流保护与栅极电压关系。13是么是静电感应？简述静电感