芯控源一级代理商AGM302C1 VER2.73深圳阜康科技.pdf

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2024-12-06 发布于广东
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AGM302C1

●GeneralDescription

TheAGM302C1combinesadvancedtrenchMOSFET

ProucSummtary

technologywithalowresistancepackagetoprovide

extremelylowRDS(ON).

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

BVDSSRDSONID

protectionapplications.

●Features30V1.8mΩ180A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

TO-220PinConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM302C1AGM302C1TO-2201000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

℃

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V）30V

VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V

IDDrainCurrent-Continuous(Tc25℃)(Note1)180A

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