垂直型自旋转移矩磁性随机存储器记忆单元.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利说明书

（10）申请公布号

CN105679358B

（43）申请公布日2018.05.25

（21）申请号CN201510607478.5

（22）申请日2015.09.22

（71）申请人上海磁宇信息科技有限公司

地址201800上海市嘉定区城北路235号二号楼二层

（72）发明人夏文斌;郭一民;陈峻;肖荣福

（74）专利代理机构上海容慧专利代理事务所(普通合伙)

代理人于晓菁

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

垂直型自旋转移矩磁性随机存储器记忆单元

（57）摘要

本发明提供了一种垂直型自旋转移矩

磁性随机存储器记忆单元，包括堆叠结构和

自旋阀控制层，所述堆叠结构包括：磁性参

考层、磁性记忆层、隧道势垒层、中间层和

自旋阀层；所述磁性参考层的磁化方向不变

且磁各向异性垂直于层表面；所述磁性记忆

层和所述自旋阀层的磁化方向可变且磁各向

异性垂直于层表面；所述隧道势垒层位于所

述磁性参考层和所述磁性记忆层之间且分别

与所述磁性参考层和所述磁性记忆层相邻；

所述自旋阀层的磁各向异性小于所述磁性记

忆层的磁各向异性且包括至少两个子层；所

述中间层分别与所述磁性记忆层和所述自旋

阀层相邻；所述自旋阀控制层是与所述堆叠

结构相间隔设置的导电层。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2016-06-15公开公开

2016-06-15公开公开

2016-07-13实质审查的生效实质审查的生效

2016-07-13实质审查的生效实质审查的生效

2018-05-25授权授权

权利要求说明书

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说明书

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