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目录
焦点图表 3
投资概述 5
需求侧：AI大模型爆发拉动HBM需求 7
HBM在GPU中得到广泛应用 9
HBM升级换代伴随带宽和速率提升;同时伴随HBM性能和HBM颗数增加 10
SK海力士、三星电子和美光布局HBM4，单颗HBM容量提升 11
英伟达下一代GPU的HBM颗数增加 12
英伟达、AMD及云服务大厂的AI芯片出货拉动HBM需求 13
供给测：良率和工艺问题拖累美光和三星电子出货进度 15
HBM3及HBM3E，海力士客户验证及出货领先于美光和三星电子 15
良率问题影响美光和三星电子HBM出货速度 16
TSV是制备HBM的第一个关键环节 17
凸点在制备HBM中必不可少 19
芯片键合是区分HBM3E制备良率的关键环节 21
设备端，TCB设备供应为关键一环 22
TC-NCF和先进MR-MUF均有需求 22
除逻辑芯片先进封装外，HBM键合是TCB设备的又一大使用场景 22
TCB设备需求有望转向无焊剂(Fluxless)TCB方案 23
HBM4和HBM5时代，混合键合技术有望加速推广 23
HBM3E方面，SK海力士能实现更高热稳定性和良率 27
三星电子和美光希望借HBM4弯道超车 27
SK海力士HBM4优势来自成熟工艺和台积电支持 28
我们认为当前标准对SK海力士维护近期市场地位更有利 29
2025-26年或聚焦HBM4市场份额争夺 29
焦点图表
图表1：2023-27年HBM需求量估算（百万GB）
需求量估算 2023 2024E 2025E 2026E 2027E
台积电CoWoS年末月产能（千片） 15 36 68 92 110
YoY 137% 92% 35% 20%
台积电CoWoS年实际产能（千片） 109.592 311 604 972 1221
YoY 184% 94% 61% 26%
产能利用率（%） 100% 100% 97% 97% 96%
台积电CoWoS实际年产量（千片） 110 311 586 943 1,172
台积电外溢CoWoS实际年产量（千片） 25 50 85 109 131
合计CoWoS实际年产量（千片） 135 361 671 1,052 1,303
英伟达占比（%） 46% 51% 51% 48% 49%
英伟达获得的CoWoS产能（千片） 62.0 184.0 343.0 504.8 638.3
AMD及其他AI芯片设计厂占比（%） 54% 49% 49% 52% 51%
AMD及其他AI芯片设计厂商获得的CoWoS产能（千片） 72.6 177.0 327.8 546.9 664.4
单片CoWoS可封装GPU颗数 28.0 25.0 18.6 17.0 16.5
YoY -11% -26% -9% -3%
对应GPU+ASIC出货量（百万颗） 3.8 9.0 12.5 17.9 21.5
单GPU中平均HBM需求个数 6.0 7.0 7.5 7.8 8.0
HBM堆栈平均层数 8.0 8.5 9.0 9.5 10.0
HBM单颗携带存储容量（GB) 2.5 2.6 2.8 3.0 3.0
单GPU中需求的存储容量（GB) 120.0 154.7 189.0 222.3 240.0
GPU需求的存储总容量（百万GB) 452.2 1,396.2 2,357.0 3,974.3 5,158.8
资料来源：TrendForce，华兴证券预测
图表2：2023-27年三家原厂HBM实际产能估算（晶圆，片）
HBM实际月产能（当年12月） 2023 2024E 2025E 2026E 2027E三星电子 26,700 44,700 72,200 108,200 150,200
SK海力士 29,800 68,600 108,200 152,000 197,600
美光 2,800 9,850 25,750 52,450 86,750
合计 59,300 123,150 206,150 312,650 434,550
HBM实际年产能（） 2023 2024E 2025E 2026E 2027E三星电子 156,800 437,400 703,700 1,100,400 1,571,400
SK海力士 188,900 611,000 1,080,600 1,580,400 2,120,400
美光 19,800 66,500 21
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