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2010-2023历年—沈阳二中高二上学期月考物理试题
第1卷
一.参考题库(共25题)
1.如图www.ks5u.com所示,边长为L的正方形线圈abcd其匝数为n,总电阻为r,外电路的电阻为R,ab的中点和cd的中点的连线OO/恰好位于匀强磁场的边界线上,磁场的磁感应强度为B,若线圈从图示位置开始,以角速度ω绕OO/轴匀速转动,则以下判断中正确的是
A.闭合电路中感应电动势的瞬时表达式e=nBL2ωsinωt
B.在t=时刻,磁场穿过线圈的磁通量为零,但此时磁通量随时间变化最快
C.从t=0时刻到t=时刻,电阻R上产生的热量为Q=
D.从t=0时刻到t=时刻,通过R的电荷量q=
2.如图,该电流的有效值为????????A
3..图中对一定质量的理想气体的状态变化的描述,正确的是
4.如图,开口向下、粗细均匀的玻璃管中,用长度分别为h1=5cm和h2=8cm两段水银柱封闭了两段气体A和B,稳定后A、B体积相等。设定外界大气压恒为P0=75cmHg,则封闭气体A的压强为________cmHg.若降低相同的温度(设原来温度相同),则A的体积VA_______VB.(填“”,“
5.下列说法中正确的是
A.相邻的两个分子之间的距离减小时,分子间的引力变小,斥力变大
B.分子平均动能大的物体的温度比分子平均动能小的物体的温度高
C.物体的体积增大,则分子势能一定增大
D.布朗运动是在显微镜下看到的液体分子的无规则运动
6.如图所示,一定质量的理想气体,从状态A经状态B、C、D又回到A。已知气体在状态A时的体积为1L,温度为150K,压强为1atm;B状态的温度为450K;C、D状态的温度均为900K。求:B、C、D三状态时气体的体积,并在P—V图中画出气体状态变化过程。
7.已知铜的摩尔质量是M,密度是,阿伏加德罗常数是NA,则V体积的铜块中含有的铜原子个数为??????????????
8.如图所示,一定质量的理想气体,从状态A经状态B、C、D又回到A。已知气体在状态A时的体积为1L,温度为150K,压强为1atm;B状态的温度为450K;C、D状态的温度均为900K。求:B、C、D三状态时气体的体积,并在P—V图中画出气体状态变化过程。
9.如图所示,A、B两点代表一定质量的理想气体的两个不同状态,状态A的温度为TA,状态B的温度为TB;由图可知
A.TB=2TA
B.TB=4TA
C.TB=6TA
D.TB=8TA
10.如图所示,上端开口、下端封闭的玻璃管竖直放置,管长48cm,其中有一段长为4cm的水银柱,将长为20cm的空气柱A封闭在管的下部,空气柱B和大气连通。现用一小活塞将管口封住,并将活塞缓慢往下压,当水银柱下降4cm时停止下压。已知外界大气压恒为76cmHg,下压过程气体温度不变,求活塞从管口向下移动的距离x.
11.已知铜的摩尔质量是M,密度是,阿伏加德罗常数是NA,则V体积的铜块中含有的铜原子个数为??????????????
12.下列说法中正确的是
A.相邻的两个分子之间的距离减小时,分子间的引力变小,斥力变大
B.分子平均动能大的物体的温度比分子平均动能小的物体的温度高
C.物体的体积增大,则分子势能一定增大
D.布朗运动是在显微镜下看到的液体分子的无规则运动
13.下列说法中正确的是:
A.气体对器壁的压强是由大量气体分子对器壁不断碰撞而产生的
B.单晶体和多晶体都有确定的熔点,但只有单晶体在物理性质才是各向异性的
C.两端开口、很细的管子插入液体中,发现管内的液面比管外液面低,说明该液体对该管壁是浸润的
D.一定温度下,某种液体的饱和汽的压强是一定的
14.如图甲,相距为L=1m的光滑平行金属导轨水平放置,导轨一部分处在垂直导轨平面的匀强磁场中,OO’为磁场右边界,磁感应强度为B=2T,导轨右侧接有定值电阻R=4,导轨电阻忽略不计。在距OO’为L=1m处垂直导轨放置一质量为m=1kg、电阻不计的金属杆ab。
若ab杆在水平向右的恒力F作用下由静止开始向右运动,其速度-位移的关系图象如图乙所示(图中坐标值均为已知量),求
(1)恒力F大小是多少?
(2)在此过程中电阻R上产生的电热Q1是多少?
(3)ab杆在离开磁场前瞬间的加速度为多少?
15.如图甲所示,两个相邻的有界匀强磁场区,方向相反,且垂直纸面,磁感应强度的大小均为B,磁场区在y轴方向足够宽,在x轴方向宽度均为a,一正三角形(中垂线长为a)导线框ABC从图示位置向右匀速穿过磁场区域,以逆时针方向为电流的正方向,在图乙中感应电流i与线框移动距离x的关系图象正确的是
16.(1)如图所示,用一个带刻度的注射器及计算机辅助系统来探究气体的压强和体积关系,实验中应保持不变的参量是????????,所研究的对象是
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