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1绪论
研究背景及意义
随着中国科技技术的不断发展，人民的生活质量得到了极大地提高。飞机，高铁，游轮的出现不仅丰富了人们出行的方式，同时也大大缩短了人们的出行时间。航母，战斗机等军用武器的研发成功也使得国家的安全以及社会的稳定得到了充分的保障。而这些都离不开半导体行业的快速发展。在半导体的行业中，最近几年有一个元件崭露头角，并且迅速大放异彩，它就是IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）。IGBT作为中国“02专项”的重点扶持项目，在目前已有的电子功率器件中占主导地位，已经基本取代了传统的功率器件PowerMOSFET，广泛应用在大功率能量变换装置和需
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