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AGM215MNE
●GeneralDescription
TheAGM215MNEcombinesadvancedtrenchProductSummary
MOSFETtechnologywithalowresistance
packagetoprovideextremelylowRDS(ON).BVDSSRDSONID
Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery19.5V11mΩ7.0A
protectionapplications.
SOT23-6LPinConfguratiion
●Features
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
■withESD
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM215MNEAGM215MNESOT23-6L178mm8mm3000
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V)19.5V
VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±10V
o1)
e-Continuous(TA25℃)(Nte
DrainCurrnt7.0A
IDDrainCurrent-Continuous(TA100℃)4.3A
IDM(pluse)DrainCurrent-Pulsed(Note2)
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