芯控源一级代理商AGM215MNE VER2.68深圳阜 康科技.pdf

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AGM215MNE

●GeneralDescription

TheAGM215MNEcombinesadvancedtrenchProductSummary

MOSFETtechnologywithalowresistance

packagetoprovideextremelylowRDS(ON).BVDSSRDSONID

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery19.5V11mΩ7.0A

protectionapplications.

SOT23-6LPinConfguratiion

●Features

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

■withESD

●Application

■MB/VGAVcore

nd

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM215MNEAGM215MNESOT23-6L178mm8mm3000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V)19.5V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±10V

o1)

e-Continuous(TA25℃)(Nte

DrainCurrnt7.0A

IDDrainCurrent-Continuous(TA100℃)4.3A

IDM(pluse)DrainCurrent-Pulsed(Note2)

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