基于纳米球光散射的QLED高效内光提取结构设计及效率增强.pdf

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摘要

量子点发光二极管(QLED)具有色纯度高、工作寿命长、制备成本低、稳定性好

等优点,有望发展成为新一代照明和显示技术,虽然QLED器件的内量子效率已经接近

100%,但由于器件中存在多种光损耗,比如,波导模式、表面等离子体激元模式以及基

底模式光损耗,导致QLED器件的最大外量子效率(EQE)被限制在20%左右,其中器

件内的波导模式光损耗约占36.7%,并且促进在器件中的光最终转化为热,降低QLED

器件稳定性,不利于高性能QLED器件的构筑和实际应用。因此,发展高效的QLED

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