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场效应管的基础知识：
场效应管（FieldEffectTransistor，FET）是一种利用电场效应来控制半导体器件中
的电流流动的半导体器件。以下是场效应管的基础知识：
1.工作原理：场效应管利用电场效应原理，通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间
的电流。当栅极电压为零时，源极和漏极之间没有电流。当栅极电压不为零时，电
场效应使得半导体内的电子聚集在沟道的一侧，形成导电沟道，从而使得源极和漏
极之间有电流流动。
2.结构：场效应管的结构包括源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）三个电
极。源极和漏极之间是半导体材料，称为沟道。栅极位于源极和漏极之间，通过控
制栅极电压来控制沟道的通断。
3.类型：场效应管有N沟道和P沟道两种类型。N沟道场效应管的源极和漏极之间是
N型半导体，P沟道场效应管的源极和漏极之间是P型半导体。
4.特性曲线：场效应管的特性曲线包括转移特性曲线和输出特性曲线。转移特性曲线
表示栅极电压对漏极电流的影响，输出特性曲线表示漏极电流与漏极电压之间的关
系。
5.应用：场效应管广泛应用于电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。由于场效应
管具有体积小、重量轻、寿命长等优点，因此在便携式设备、移动通信等领域得到
广泛应用。
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