场效应晶体管 截止.pdfVIP

场效应晶体管截止

答案：

场效应管的截止条件：Ugs必须小于开启所需电压。

当栅极电压为零或负值时，MOSFET处于截止状态。这是因为栅极和沟道之间

不存在电场，栅极电势控制不了沟道导电区域的导电程度。

此时，MOSFET中的导电区域只能由源极和漏极之间的电压控制，电流非常小，

相当于开路状态。因此，当需要关闭MOSFET时，只需将栅极电压置为零或

负值即可。

扩展：

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要

有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体

场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流

子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输

入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没

有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶

体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一

种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET。

场效应管在栅极电压为零或负值时处于截止状态。

一、什么是场效应管

场效应管（FieldEffectTransistor，FET）是一种用于电子信号放大、开

关和电压调节的半导体器件，具有高频高增益、低噪声、低功耗等特点，广

泛应用于各种电子设备中。

场效应管分为三种类型：JFET、MESFET和MOSFET，其中普遍使用的是MOSFET。

这里着重介绍MOSFET工作原理。

MOSFET由源、漏、栅三个电极组成。当栅极电压为零或负值时，MOSFET处

于截止状态；当栅极电压为正值时，MOSFET处于放大状态。

二、场效应管的截止状态

当栅极电压为零或负值时，MOSFET处于截止状态。这是因为栅极和沟道之间

不存在电场，栅极电势控制不了沟道导电区域的导电程度。

此时，MOSFET中的导电区域只能由源极和漏极之间的电压控制，电流非常小，

相当于开路状态。因此，当需要关闭MOSFET时，只需将栅极电压置为零或

负值即可。

三、截止状态下的特点

MOSFET在截止状态下，具有以下特点：

1.高电阻：因为导电区域非常小，电流非常小，相当于开路状态，输入电阻

非常高。

2.低漏电流：因为漏电流只是随着温度的升高而略有增加。

3.高隔离度：栅极和沟道之间不存在电场。

四、总结

场效应管在栅极电压为零或负值时处于截止状态，此时MOSFET中的导电区

域只能由源极和漏极之间的电压控制，电流非常小，相当于开路状态。截止

状态下，MOSFET具有高电阻、低漏电流和高隔离度等特点。