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双极型晶体管和场效应管异同

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晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极(b)、集电极(c)、发射极

(e)。场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。

绝缘栅型效应管和结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原

理根本不同，结型管是利用耗尽区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制

漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导体表面的电场效应、电感应电荷的多

少去改变导电沟道来控制电流。它们性质的差异使结型场效应管往往运用在功

放输入级(前级)，绝缘栅型场效应管则用在功放末级(输出级)。

2.双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效

应管是电压控制器件，栅极(G)基本上不取电流，而晶体管的基极总要取一定的

电流，所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管。而

在允许取一定量电流时，选用晶体管进行放大，可以得到比场效应管高的电压

放大倍数。

3.场效应管是利用多子导电(多子:电子为多数载流子，简称多子)，而晶体

管是既利用多子，又利用少子(空穴为少数载流子，简称少子)，由于少子的浓

度易受温度、辐射等外界条件的影响，因此在环境变化比较剧烈的条件下，采

用场效应管比较合适。

4.功率放大电路是一种弱电系统，具有很高的灵敏度，很容易接受外界和

内部一些无规则信号的影响，也就是在放大器的输入端短路时，输出端仍有一

些无规则的电压或电流变化输出，利用示波器或扬声器就可觉察到。这就是功

率放大器的噪声或干扰电压。噪声所产生的影响常用噪声系数Nf表示，单位为

分贝(dB)，Nf越小越好，Nf=输入信号噪声比/输出信号噪声比，晶体管的噪声

来源有三种:⑴热噪声:由于载流子不规则的热运动，通过半导体管内的体电阻

时而产生;⑵散粒噪声:通常所说的三极管中的电流只是一个平均值，实际上通

过发射结注入基区的载流子数目，在各个瞬时都不相同，因而引起发射极电流

或集电极电流有一无规则的流动，产生散粒噪声;⑶颤动噪声:晶体管产生颤动

噪声的原因现在还不十分清楚，但被设想为载流子在晶体表面的产生和复合所

引起，因此与半导体材料本身及工艺水平有关。而场效应管的噪声只产生于载

流子的运动，所以场效应管的Nf比晶体管的要小。

放大器不仅其放大其输入端的噪声，而且，放大器本身也存在噪声，所以

其输出端的信噪比必然小于输入端信噪比，放大器本身噪声越大，它的输出端

信噪比就越小于输入端信噪比，Nf就越大，所以在低噪声放大器的前级通常选

用场效应管，或者低噪声晶体管。

5.场效应管的漏、源极可以互换、耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正，可负，

灵活性比晶体管强。不过在音响功率放大器中，场效应管多以N沟/P沟对管出

现，晶体管也以PNP/NPN对管出现。但场效应管在业余应用中较为脆弱，成本

也较高。

从以上场效应管和晶体管的对比中不难发现，场效应管具有输入阻抗高、

噪声低、功耗低、热稳定性高、抗辐射能力强等优点，因此场效应管的总体性

能上要优于晶体管，在许多优秀的功率放大器中，场效应管得到了较为普遍的

采用。而采用晶体管的功率放大器取得靓声者也同样屡见不鲜。工程师根据两

种管子的特性，取其各自的优点，设计出一种组合管，效果嘛，当然比它们好。

场效应管与双极型三极管的比较:

1、普通三极管参与导电的，既有多数载流子，又有少数载流子，故称为双

极型三极管;而在场效应管中只是多子参与导电，故又称为单极型三极管。因少

子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、

抗辐射能力强、噪声系数很小。在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用

场效应管。

2、三极管是电流控制器件，通过控制基极电流到达控制输出电流的目的。

因此，基极总有一定的电流，故三极管的输人电阻较低;场效应管是电压控制器

件，其输出电流决定于栅源极之间的电压，栅极基本上不取电流，因此，它的

输入电阻很高，可达109~1014Ω。高输入电阻是场效应管的突出优点。

3、场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，

灵活性比三极管强。但要注意，分立的场效应管，有时已经将衬底和源极在管

内短接，源极和漏极就不能互换使用了。

4、场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作

为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作，具有功耗低，热稳定性

好，容易解决散热问题，工作电源电压范围宽等优点，且制作工艺简单，易于