半导体物理复习要点答案.pdfVIP

一、填充题

1.两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导体界面一侧带正

电达到热平衡后两者的费米能级相等。

k

2.半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于

【100】方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于间接带隙

半导体。

3.晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如空位间隙原子；

线缺陷，如位错；面缺陷，如层错和晶粒间界。

4.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为弗仓克耳缺

陷；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为

肖特基缺陷。

5．浅能级杂质可显著改变载流子浓度；深能级

杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。

6.硅在砷化镓中既能取代镓而表现为施主能级，又能取代

砷而表现为受主能级，这种性质称为杂质的双性行

为。

7．对于ZnO半导体，在真空中进行脱氧处理，可产生氧空位，

从而可获得n型ZnO半导体材料。

8．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为

1/2，高于费米能级2kT能级处的占据概率为

1/1+exp(2)。

9．本征半导体的电阻率随温度增加而单调下降，杂质半导

体的电阻率随温度增加，先下降然后上升至最高点，

再单调下降。

10．n型半导体的费米能级在极低温（0K）时位于导带底和施主能级之间中央

处，随温度升高，费米能级先上升至一极值，然后下降至本征费米能

级。

11.硅的导带极小值位于k空间布里渊区的【100】

方向。

12.受主杂质的能级一般位于价带顶附

近。

13.有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场

的作用。

14.间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为弗仓克耳缺

陷。

15.除了掺杂，引入缺陷也可改变半导体的

导电类型。

16.回旋共振是测量半导体内载流子有效质量的重要

技术手段。

17.PN结电容可分为势垒电容