包括鳍型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN110299358A

(43)申请公布日2019.10.01

(21)申请号CN201910068503.5

(22)申请日2019.01.24

(71)申请人三星电子株式会社

地址韩国京畿道

(72)发明人郑秀珍柳廷昊柳宗烈曹荣大

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人屈玉华

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

包括鳍型场效应晶体管的半导体器

件及其制造方法

(57)摘要

一种半导体器件和制造半导体器件

的方法，该器件包括：从衬底突出的有源

图案；多个栅极结构，每个栅极结构包括

栅电极并交叉有源图案；以及在所述多个

栅极结构之间的源极/漏极区域，其中源极/

漏极区域包括与有源图案中的凹陷区域的

底表面接触的高浓度掺杂层、与高浓度掺

杂层的上表面和凹陷区域的侧壁接触的第

一外延层、以及在第一外延层上的第二外

延层，并且高浓度掺杂层具有与凹陷区域

的底表面接触的第一区域以及与凹陷区域

的侧壁接触的第二区域，第一区域比第二

区域宽。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2019-10-01公开公开

权利要求说明书

1.一种半导体器件,包括:

从衬底突出的有源图案;

多个栅极结构,每个栅极结构包括栅电极并交叉所述有源图案;以及

在所述多个栅极结构之间的源极/漏极区域,

其中:

所述源极/漏极区域包括:

与所述有源图案中的凹陷区域的底表面接触的高浓度掺杂层,

第一外延层,与所述高浓度掺杂层的上表面和所述凹陷区域的侧壁接触,和

在所述第一外延层上的第二外延层,

所述高浓度掺杂层具有与所述凹陷区域的所述底表面接触的第一区域以及与所述凹

陷区域的所述侧壁接触的第二区域,所述第一区域比所述第二区域宽。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中在所述源极/漏极区域的顶部区域与底部区

域之间的电沟道的长度是均匀的。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述高浓度掺杂层包括掺杂的硅锗层,所述

硅锗层通过以外延方式生长硅锗而形成,并且所述硅锗层掺杂有硼、碳、锡、镓或

砷。

4.如权利要求3所述的半导体器件,其中所述硅锗层所掺杂的硼、碳、锡、镓或砷的

浓度范围从1×10

18

原子/cm

3

至1×10

21

原子/cm

3

。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一外延层、所述第二外延层和第三外

延层包括相同的杂质,并且所述杂质的浓度不同。

6.如权利要求5所述的半导体器件,其中:

所述第一外延层中的锗的浓度范围从10原子%至30原子%;并且

所述第二外延层和所述第三外延层的每个中的锗的浓度范围从30原子%至70原

子%。

7.如权利要求5所述的半导体器件,其中所述第一外延层、所述第二外延层和所述第

三外延层包括掺杂有硼的硅锗层。

8.如权利要求5所述的半导体器件,其中:

所述第二外延层中的所述杂质的浓度高于所述第一外延层的所述杂质的浓度;以及

所述第三外延层中的所述杂质的浓度低于所述第二外延层的所述杂质的浓度。

9.一种半导体器件,包括:

从衬底突出的有源图案;

多个栅极结构,每个栅极结构包括栅电极并交叉所述有源图案;以及

在所述多个栅极结构之间的源极/漏极区域,

其中:

所述源极/漏极区域包括:

第一外延层,与所述有源图案中的凹陷区域的底表面和侧壁接触,

高浓度掺杂层,与所述第一外延层的底端的上表面接触,和

第二外延层,覆盖所述高浓度掺杂层和所述第一外延层,

所述高浓度掺杂层具有与所述第一外延层的所述底部的所述上表面接触的第一区域

以及与所述第一外延层的侧壁接触的第二区域,所述第一区域比所述第二区域宽。

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