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场效应晶体管结构

场效应晶体管（FET）是一种半导体晶体管，它广泛用于电子电

路的制作。它使用一个叫做“场”的力量，使电荷在晶体管内部运

动。场效应晶体管结构由三部分组成：源极（S），漏极（D）和控制

极（G）。

源极和漏极是FET的电极。它们共同形成源极-漏极电路，电流

通过源极到达漏极。源极和漏极之间的电位差叫做源极电流（IDS）。

IDS在源极-漏极电路中按照Ohm定律的电阻表现出来。

控制极是FET的第三个电极。它控制了源极到漏极的电流。控制

极的电位差称为控制电压（VGS）。控制电压的大小决定了源极到漏极

的电流。在FET中，控制极可以是电流控制，也可以是电压控制。

FET的结构有不少种，根据控制极的结构和位置，大致可以分为

三类：场效应晶体管（FET），双极型场效应晶体管（JFET）和金属-

氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。

FET是一种开关型晶体管，它具有低电阻，小尺寸，高效率和良

好的稳定性等优点。FET晶体管的结构设计简单，制作方便，价格低

廉，因此在电子设计中应用极广。