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三级管

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、

开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入

的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关(如

Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非

常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体

器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采

用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管-晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为

TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。

TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小

的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管应用最广泛的器件之一，在

电路中用V或VT(旧文字符号为Q、GB等)表示。

半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极

(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)；场效应晶体管的三个极，分别

是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。晶体管因为有三种极性，所以也

有三种的使用方式，分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地

(又称共基放大、CB组态)和集电极接地(又称共集放大、CC组态、发射极随隅

器)。

在双极性晶体管中，发射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极

之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和漏

极之间的电流。在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、

稳压电路；在计算机电源中，主要用于开关电源。晶体管也应用于数字电路，

主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存(RAM)和微处理

器。晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，像是最大电压、最大电流、

最大功率…，在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的

晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以藉由晶体管

规格表或是DataSheet得知。

晶体管在电路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹

配、讯号转换…等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要

都是由晶体管制成的。

按半导体材料和极性分类

按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体

管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型

晶体管。

按结构及制造工艺分类

晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型

晶体管。

按电流容量分类

晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。

按工作频率分类

晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。

按封装结构分类

晶体管按封装结构可分为金属封装(简称金封)晶体管、塑料封装(简称塑封)

晶体管、玻璃壳封装(简称玻封)晶体管、表面封装(片状)晶体管和陶瓷封装晶

体管等。其封装外形多种多样。

按功能和用途分类

晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频

放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻

尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

※电力晶体管

电力晶体管按英文GiantTransistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、

大电流的双极结型晶体管(BipolarJunctionTransistor-BJT)，所以有时也称

为PowerBJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，

驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。

※光晶体管

光晶体管(phototransistor)由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构

成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部

电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。

光晶体管所用材料通常是砷化镓(CaAs)，主要分为双极型光晶