设计基于鳍式场效应晶体管(FINFET)的电路的方法及其实施系统 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104657537A

(43)申请公布日2015.05.27

(21)申请号CN201410677448.7

(22)申请日2014.11.21

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹

(72)发明人陈君胜杨尊宇胡伟毅管瑞丰杨清舜郑仪侃

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人章社杲

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

设计基于鳍式场效应晶体管

(FINFET)的电路的方法及其实施系统

(57)摘要

本发明提供了一种设计基于鳍式场

效应晶体管(FinFET)的电路的方法及其实

施系统。设计基于鳍式场效应晶体管

(FinFET)的电路的方法，包括：使用处理

器，基于性能规范设计第一电路原理图设

计，第一电路原理图设计不包括人工元

件，人工元件用于仿真基于FinFET的电路

的电性能。该方法还包括：使用处理器，

修改第一电路原理图设计内的至少一个器

件以形成考虑人工元件的第二电路原理图

设计。该方法还包括：使用第二电路原理

图并考虑人工元件来执行布局前仿真。该

方法还包括：生成布局，其中该布局不考

虑人工元件；以及执行布局后仿真，布局

后仿真不考虑人工元件。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种设计基于鳍式场效应晶体管(FinFET)的电路的方法，所述方

法包括：

使用处理器，基于性能规范设计第一电路原理图设计，所述第一电路

原理图设计不包括人工元件，其中，所述人工元件用于仿真所述基于

FinFET的电路的电性能；

使用所述处理器，修改所述第一电路原理图设计内的至少一个器件以

形成考虑所述人工元件的第二电路原理图设计；

使用所述第二电路原理图并考虑所述人工元件来执行布局前仿真；

生成布局，所述布局不考虑所述人工元件；以及

执行布局后仿真，所述布局后仿真不考虑所述人工元件。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

执行布局与原理图(LVS)检查，所述LVS检查不考虑所述人工元件；

以及

执行RC提取，所述RC提取不考虑所述人工元件。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述布局前仿真的结果与所述性能规范进行比较；

如果所述布局前仿真的结果不满足所述性能规范，则修正所述第二电

路原理图设计；以及

如果所述布局前仿真的结果满足所述性能规范，则生成所述布局。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，修改所述第一电路原理图设计

包括将所述第一电路原理图设计与宏FinFET库组合，其中所述宏FinFET

库包括与所述人工元件相关的信息。

5.根据权利要求1所述的方法，修改所述第一电路原理图设计包括将

所述第一电路原理图设计与工艺设计工具包(PDK)库和宏FinFET应用程

序接口(API)的组合进行组合，其中所述PDK包括所述第一电路原理

图设计中的FinFET器件的结构，并且所述宏FinFETAPI包括与

所述人工元件相关的信息。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：将所述宏FinFETAPI中的

网表程序连接到所述PDK库的网表包装中，以包括与所述人工元件相关的

信息。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

对PDK库建立约束；以及

基于所述约束PDK库，在所述布局前仿真期间接收用于所述人工元件

的电性能信息。

8.根据权利要求7所述的方法