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《半导体器件物理》复习题2012

《半导体器件物理》复习思考题

（1）提高半导体的掺杂浓度，p-n结的势垒高度将会＿增大＿＿，

p-n结的势垒厚度将会＿＿增大＿；如果重掺杂，使半导体达到高度

简并时，p-n结的势垒高度将会＿减小＿＿＿。（增大；减小；不变）

（2）当环境温度升高时，p-n结的势垒高度将会＿减小＿＿＿，p-n

结的势垒厚度将会＿减小＿＿，p-n结的正向压降将会＿＿减小＿＿

＿。（增大；减小；不变）

（3）半导体耗尽层就是其中不存在有＿任何载流子＿＿＿＿的区

域。

（任何载流子；任何电荷；任何载流子和任何电荷）

（4）线性缓变p-n结的雪崩击穿电压要＿高于＿＿突变p-n结的

击穿电压。

（高于；低于；等于）

（5）同时表征少数载流子的寿命长短和扩散快慢的一个重要参量

是＿扩散长度＿＿＿。（迁移率；扩散系数；扩散长度）

（6）决定通过p-n结电流大小的主要因素是＿少数载流子扩散的

浓度梯度＿。

（少数载流子扩散的浓度梯度；多数载流子的浓度；载流子的漂

移速度；势垒区中的电场）；限制p-n结电流大小的主要区域是＿势

垒区两边的中性扩散区＿。（存在有电场的势垒区；势垒区两边的中

性扩散区；势垒区和扩散区以外的中性区）

（7）通过p+-n结的电子电流＿＿小于＿＿＿空穴电流。（大于；

小于；等于）

（8）对于Si的p-n结，其反向电流主要是＿势垒区中复合中心

的产生电流＿。

（在扩散区的少数载流子扩散电流；势垒区中复合中心的产生电

流；势垒区中的漂移电流）温度升高时，Sip-n结的反向电流将＿指

数增加＿。（线性增加；指数增加；快速下降；不变）

（9）p-n结在正向电压下呈现出的电容，有＿＿势垒电容和扩散

电容＿＿＿＿。

（势垒电容；扩散电容；势垒电容和扩散电容）

（10）由金属-半导体接触构成的Schottky二极管，是＿多数载

流子器件＿＿＿。

（少数载流子器件；多数载流子器件）与p-n结二极管相比，

Schottky二极管具有＿＿＿＿较低＿＿的正向电压。（较高；较低；

相等）

（11）对于放大状态的n+-p-n晶体管，通过基极的电流分量包

括有＿在基区复合的电子电流，在发射区注入空穴的扩散电流，在基

区抽取的电子的扩散电流，发射结势垒区中复合中心的电流＿。

（12）BJT的ICEO要比ICBO约大＿＿＿β0＿＿＿＿倍。（α0；

β0）

（13）BJT的发射极电流集边效应是由于＿基区扩展电阻＿＿而

产生的。

（发射极串联电阻；基区扩展电阻；基区展宽效应；基区电导调

制效应）

（14）Early效应是由集电结电压变化＿＿所引起的，其基本涵义

是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；Kirk效应是

由＿大的发射极电流＿所引起的，其基本的涵义是。（发射结电

压变化；集电结电压变化；高的集电结电压；大的发射极电流；大的

基极电流）

（15）BJT的集电结与单独的p-n结相比（在可类比的情况下），

它通过的电流要＿大＿，其击穿电压要＿低＿＿。（大；小；高；低）

（16）影响双极型晶体管耗散功率的主要因素是＿＿＿＿热阻＿

＿＿。（基极电阻；击穿电压；集电极最大允许工作电流；热阻）

（17）BJT的开关时间一般主要决定于＿基区和集电区中过量存

储电荷消失的时间＿＿。

（发射结的充放电时间；基区和集电区中过量存储电荷消失的时

间；集电结的充放电时间）

（18）与双极型晶体管不同，场效应晶体管是＿电压控制＿＿器

件（电压控制；电流控制），是＿＿多数＿＿载流子器件（多数；少

数）。

（19）MOSFET的阈值电压基本上包含有＿栅氧化层上的电压，

使半导体表面产生强反型层所需要的电压，

/Si系统内部和界面的电荷]＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿几个部平带电

压[包含金属-半导体的功函数差和SiO

2

分的电压。

（20）MOSFET的阈值电压随着温度的升高将＿下降＿（下降；

增大；不变）。

（21）对于长沟道场效应晶体管，