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第37卷第05期数字技术与应用Vol.37No.5

2019年5月May2019

DigitalTechnologyApplication2019年第05期

学术论坛DOI:10.19695/j.cnki.cn12-1369.2019.05.117

SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用

龙炬泉

(深圳先隆电子实业有限公司,广东深圳518055)

摘要:半导体技术的发展与进步是实现集成电路的关键,推动着电子产品的微型化以及高性能化发展。本文将对SiGe半导体在微电子

技术发展中的应用进行探讨,研究其对于微电子行业的重要作用。

关键词:SiGe半导体；微电子技术；场效应晶体管

中图分类号:TN304文献标识码:A文章编号:1007-9416(2019)05-0225-01

0引言的电流放大系数大大提升,同时这一电流放大系数基本不受发射结

[2]

在半导体行业发展初期,以仙童半导体为主要代表的硅谷半导两边掺杂浓度的影响。

体企业都着重研究硅(Si)的半导体性能以及其在晶体管、集成电路与砷化镓等化合物半导体相比,SiGe半导体应用到异质结双极

中的有效应用。从Si技术中衍生而来的SiGe半导体得到了有效的开性晶体管中有很多优势。首先,SiGe半导体是基于硅半导体衍生而

发利用,SiGe半导体是将硅片的性能进行了改变,采用的手段多为来的,因此无论是加工手段还是制作成本控制都十分成熟,制作集

能带工程以及应力工程等,在使用过程中满足硅半导体通用的易加成电路时也更加便捷;其次,由于SiGe半导体在应用时产生了异质

工特点,应用前景广泛,在微电子技术领域尤其是集成电路中能够结,因此在采取各种措施时不必过多的考虑电流放大系数因素的影

发挥出重要价值。响,在工作过程中更为有效的提升电流输出频率和速率,保证在应

用到高频模拟电路时的高频、高速、低噪声;而且,这类晶体管基区

1SiGe半导体在双极性晶体管中的应用

的Ge分布是不均匀的,这有利于漂移电场的产生,使得载流子渡越

1.1双极性晶体管介绍基区构筑更加快速,这就使得基于SiGe半导体的HBT截止频率和最

双极性晶体管指的是在源漏电极沟道内既可以通过电子传输高震荡频率都较高,在应用到射频技术时也能够发挥重要价值;最

也可以进行空穴传输的晶体管,通常而言,这类晶体管的功耗大且后,与砷化镓相比,基于SiGe半导体的HBT击穿电压更低,在应用到

工作频率高、噪声小,在高频模拟电路中有着重要的应用价值。但高频小功率器件中也能够发挥作用。

是,双极性晶体管由于半导体材料的限制,在应用到高频模拟电路1.3n-p-n型SiGe-HBT的制作

中时存在着一系列问题,很难保证信号传输的超高频和超高速,这异质发射结的制作是这类晶体管制作中首先需要关注的问题,

是因为双极性晶体管本身就存在着很多固有的限制,同时,由于双由于硅材料和Ge材料在晶格常数方面存在较大的差异,因