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pin场效应晶体管

PIN场效应晶体管是一种电压控制电流的器件，它具有三个极，分别是栅极(G)、漏极(D)和源

极(S)。它属于绝缘栅型场效应管，是利用P型半导体之间夹着1-2层掺杂非导电材料的氧化

物半导体(本征半导体)构成P-I-N二极管的结构。

在结构上，PIN场效应晶体管分为增强型和耗尽型。增强型的PIN场效应晶体管有四个区，

分别为截至区、可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。可变电阻区的特点是当Uds较小

时，Id随Ugs增大而增大。恒流区的特点是当Ugs一定时，Uds对id的影响很小。截止区的

特点是当电压小于开启电压1.5v时，mos不工作。击穿区的特点是当uDS达到一定值时，

场效应管被击穿，ID突然增大，管子很容易烧坏。过损耗区的特点是id和uds都比较高，

长期处于这种状态，没有很好的散热措施，很可能由于功率较大，管子烧坏。

PIN场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗低、易于集成等优点，因此

在现代电子设备中得到广泛应用。