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k3683场效应管参数
K3683场效应管参数
介绍
K3683是一种N沟道增强型MOSFET场效应管，常用于功率放大器、
开关电路等领域。本文将详细介绍K3683的参数，包括电气特性、封
装形式、应用范围等方面。
电气特性
1.静态特性
（1）漏源极截止电压（VGS(off)）
VGS(off)是指当栅源极电压为0时，漏源极之间的电阻达到最大值时
对应的栅源极电压。在K3683的数据手册中，VGS(off)的典型值为-
4V，最大值为-8V。
（2）漏源极饱和电流（IDSS）
IDSS是指当栅源极电压为0时，漏源极之间的最大电流。在K3683
的数据手册中，IDSS的典型值为6.5A，最小值为4.5A。
（3）漏源极截止电流（ID(off)）
ID(off)是指当栅源极电压为0时，漏源极之间的最小电流。在K3683
的数据手册中，ID(off)的典型值为1μA，最大值为10μA。
2.动态特性
（1）输入输出容量（Ciss、Coss、Crss）
输入输出容量是指场效应管在工作过程中的输入和输出电容。其中，
Ciss是栅源极电容，Coss是漏源极电容，Crss是漏栅电容。在
K3683的数据手册中，Ciss的典型值为540pF，最大值为800pF；
Coss的典型值为150pF，最大值为250pF；Crss的典型值为50pF，
最大值为100pF。
（2）开关时间（ton、toff）
开关时间是指场效应管从导通到截止或从截止到导通所需的时间。在
K3683的数据手册中，ton和toff的典型值分别为20ns和50ns。
封装形式
K3683采用TO-220封装形式。TO-220封装具有散热性好、安装方
便等优点，在功率放大器、开关电路等领域广泛应用。
应用范围
由于K3683具有较高的漏源极饱和电流和较低的漏源极截止电流，在
功率放大器、开关电路等领域得到了广泛应用。同时，K3683还具有
较高的输入输出容量和较短的开关时间，在高频电路中也可以得到一
定程度的应用。
总结
K3683是一种N沟道增强型MOSFET场效应管，具有较高的漏源极
饱和电流和较低的漏源极截止电流，在功率放大器、开关电路等领域
得到了广泛应用。同时，K3683还具有较高的输入输出容量和较短的
开关时间，在高频电路中也可以得到一定程度的应用。K3683采用
TO-220封装形式，具有散热性好、安装方便等优点。
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