纳米片场效应晶体管中的内间隙壁形成 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN109411352A

(43)申请公布日2019.03.01

(21)申请号CN201810946683.8

(22)申请日2018.08.20

(71)申请人格芯公司

地址英属开曼群岛大开曼岛

(72)发明人朱利安·弗罗吉尔谢瑞龙

(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司

代理人程伟

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

纳米片场效应晶体管中的内间隙壁

形成

(57)摘要

本发明涉及纳米片场效应晶体管中

的内间隙壁形成，揭示纳米片场效应晶体

管的结构以及用于形成纳米片场效应晶体

管的结构的方法。形成本体特征，该本体

特征包括垂直设于第一与第二纳米片沟道

层之间的牺牲层。在该本体特征的侧壁处

横向凹入该牺牲层，以暴露该第一及第二

纳米片沟道层的相应部分。在该本体特征

的该侧壁处通过氧化该牺牲层的部分而形

成牺牲间隙壁。在该第一及第二纳米片沟

道层的该暴露部分上外延生长由半导体材

料构成的区段，以收窄垂直隔开该第一与

第二纳米片沟道层的间隔。移除该牺牲间

隙壁，以在由该半导体材料构成的该区段

与该牺牲层之间形成腔体。在该腔体中共

形沉积介电间隙壁。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2021-03-12专利申请权的转移专利申请权的转移

2019-03-26实质审查的生效实质审查的生效

2019-03-01公开公开

2021-10-22授权授权

权利要求说明书

1.一种形成场效应晶体管的方法,该方法包括:

形成第一本体特征,该第一本体特征包括第一纳米片沟道层、第二纳米片沟道层、

以及垂直设于该第一纳米片沟道层与该第二纳米片沟道层之间的牺牲层;

在该第一本体特征的侧壁处相对于该第一纳米片沟道层及该第二纳米片沟道层而横

向凹入该牺牲层,以暴露该第一纳米片沟道层的部分及该第二纳米片沟道层的部分;

在该第一本体特征的该侧壁处通过氧化该牺牲层的部分形成牺牲间隙壁;

分别在该第一纳米片沟道层的该暴露部分及该第二纳米片沟道层的该暴露部分上外

延生长由半导体材料构成的第一区段及第二区段,以收窄垂直隔开该第一纳米片沟

道层与该第二纳米片沟道层的间隔;

移除该牺牲间隙壁以在由该半导体材料构成的该第一区段及该第二区段与该牺牲层

之间形成腔体;以及

在该腔体中共形沉积介电间隙壁。

2.如权利要求1所述的方法,其中,在横向凹入该牺牲层以后,形成该牺牲间隙壁。

3.如权利要求1所述的方法,其中,在外延生长由该半导体材料构成的该第一区段及

该第二区段以后,移除该牺牲间隙壁。

4.如权利要求1所述的方法,其中,在移除该牺牲间隙壁以后,在该腔体中共形形成该

介电间隙壁。

5.如权利要求1所述的方法,还包括:

利用由该半导体材料构成的该第一区段及该第二区段作为相应的生长晶种来外延生

长源/漏区。

6.如权利要求5所述的方法,还包括:

在外延生长该源/漏区以后,相对于由该半导体材料构成的该第一区段及该第二区段

而选择性移除该牺牲层,

其中,当移除该牺牲层时,该介电间隙壁保护该源/漏区。

7.如权利要求1所述的方法,还包括:

在外延生长由该半导体材料构成的该第一区段及该第二区段之前,等离子体掺杂该

第一纳米片沟道层及该第二纳米片沟道层的该相应部分,使表面层包括掺杂物浓度。

8.如权利要求1所述的方法,其中,由该半导体材料构成的该第一区段及该第二区段

分别含有掺杂物浓度,