手把手,教你读懂FET .pdfVIP

FET管是由一大群小FET在硅片上并联的大规模集成功率开关。每个小FET叫胞，每个胞的电流并不大，只有百毫安级。设计师采用蚂蚁捍树的办法；多多的数量FET并联；达到

开关大电流。也就是同样大小硅片和耐压下；胞越多；允许电流越大。FET里；不仅FET胞是并联的，寄生二极管也是很多并在一起的！得益于多胞结构；FET的寄生二极管拥有

了耐受电压击穿的能力。即所谓的雪崩耐量。在数据表中；以EAR（可重复雪崩耐量）和EAS（单次雪崩耐量）表示。它表征了FET抗电压（过压）冲击的能力。因此；许多小功

率反激电源可以不用RCD吸收，FET自己吸收就够了。

用在过压比较严重的场合，这点要千万注意啊！大的雪崩耐受力；能提高系统的可靠性！FET的这个能力和电压；终身不会改变！

每个胞的原理结构如下图1示：红色指示的是FET开关的沟道，兰色的是寄生的体二极管。平时；FET是关断的。当栅上加正压时；在邻近栅的位置；会吸引许多电子。这样；邻

近的P型半导体就变成了N型；形成了连接两个N区的通道（N沟道），FET就通了。显然；FET的耐压越高；沟道越长；电阻越大。这就是高压FET的RDSON大的原因。

反之，P沟FET也是一样的，这里不再叙述。所以；功率FET，常被等效为图2。问一下。这个沟，是什么沟，还是和实际联系不到一起去。怎么看啊，解释下，呵呵。图1里红

圈圈起的位置。左边两个红圈圈之间是一个沟，右边两个红圈圈是一个沟吗，那样就和fet的符号很像，很形象。两边的沟是并联的。算作一个沟吧！图1是垂直剖面图。这是

示意图，实际器件和这图有些出入。FET是实实在在的物质构成的；里面有导体/半导体/绝缘体。这些物质的相互搭配；做成了FET。那么；任何两个绝缘的导体，自然构成了物

理电容——寄生电容（下图3），红色的就是DS间的寄生电容Coss。蓝色的就是密勒电容Cgd。黑色的就是栅原电容Cgs。Cgd+Cgs=Ciss——输入电容，Coss——输出电容。

Cgd/Cds的绝缘层里有PN结！Cgs里基本没这东西！再参考一下变容二极管的特性想想（在压缩文件夹里）。有何感想？Cgd/Cds容量大小是变的！而且；变得还很变态！所以；

Cgd/Cds在理论上存在，在数据表中也有所列。在微变等效中也可以作为参量计算分析，但；也仅在线性放大里的微变等效分析中有所使用。在开关过程的工程分析中，变态的变

化导致只能用电荷量这个值来衡量。Qgd就是Cdg储存的电荷量（弥勒电荷），Qds是Cds储存电荷量。

说得好！不过，俺是做MOS管厂家的，你们的信息稍微有点过时了。无论多好的好管子；到现在还是这样接的，只是寄生电阻小了一个数量级而已。你有何高见？

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.有3个极性，栅极，漏极，源

极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件.具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、

安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.按结构场效应管分为：结型场效应（简称JFET）、绝缘栅场效应(简称MOSFET)两大类。按沟道材料:

结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效

应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。场效应管的主要参数：Idss—饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝

缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up—夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut—开启电压.是指增强型绝缘栅场效

管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM—跨导.是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM是衡量场效应管放

大能力的重要参数.BVDS—漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.

PDSM—最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于