半导体物理填空题——武汉理工.pdfVIP

1．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N型半导体。

2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。其运动速度正

比于电场，比例系数称为迁移率。

3．np=n2标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积np改变否？不变；当温度变化时，np改变否？改变。

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4．非平衡载流子通过复合效应而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关。

5．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的

DkT

n0

关系式是，称为关爱因斯坦关系式。

q

n

6．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主

要作用，后者在温度高下起主要作用。

7．半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型；深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。

8．对n型半导体，如果以E和E的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末，EE2kT为非简并条件；

FCCF0

0EE2kT为弱简并条件；EE0为简并条件。

CF0CF

9.以长声学波为主要散射机构时，电子迁移率与温度的-3/2次方成正比。

10.半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。

11.电子在晶体中的共有化运动指的是电子不在完全局限在某一个原子上，而是可以从晶胞中某一点自由移动到其它晶胞内的对应点，因而电子

可以在整个晶体中运动。

12．当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为PN结击穿，其种类为：雪崩击穿、和齐纳击

穿（或隧道击穿）。

13.半导体中掺杂浓度很高时，杂质电离能增大，禁带宽度减小。

14.简并半导体一般是重掺杂半导体，这时电离杂质对载流子的散射作用不可忽略。

15.处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会下降/减小，电阻率会上升/增大。

16.电子陷阱存在于P/空穴型半导体中。

17.随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号由正变为负。

18.在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有杂质补偿的作用，在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性

能。

19.ZnO是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，存在氧空位的ZnO半导体为N/电子型半导体。

20.相对Si而言，InSb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较高/大。

21.掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si中是一种深能级杂质，通常起复合中心的作用，使得载流子寿命减小。

22.有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来测量。

23.某N型Si半导体的功函数WS是4.3eV，金属Al的功函数Wm是4.2eV，该半导体和金属接触时的界面将会形成反阻挡层接触/欧姆接

触。

24.有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级/本征费米能级/E。

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26.金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少/变

窄/变薄）。

27.硅的导带极小值位于布里渊区的＜100＞方向上，根据晶体的对称性共有6个等价能谷。n型硅掺砷后，费米