半导体场效应晶体管的测试方法及测试结构.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN102339814A

(43)申请公布日2012.02.01

(21)申请号CN201010229225.6

(22)申请日2010.07.16

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址201203上海市张江路18号

(72)发明人邵芳

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人屈蘅

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

半导体场效应晶体管的测试方法及

测试结构

(57)摘要

本发明公开了一种半导体场效应晶

体管MOSFET的测试结构，由测试平台通

过从MOSFET引出的焊垫对MOSFET进

行测试，该结构包括：MOSFET和金属引

线，还包括：两个源极pad：分别通过金

属引线连接至MOSFET的两个源极；一个

漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET

的漏极；一个栅极pad，通过金属引线连

接至MOSFET的栅极；一个电压感应

pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏

极。本发明还提供了一种MOSFET的测试

方法，所述测试结构及测试方法提高了

MOSFET测试准确性。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过与

MOSFET连接的焊垫pad对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和

金属引线，其特征在于，还包括：

两个源极pad：分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；

一个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；

一个栅极pad，通过金属引线连接至MOSFET的栅极。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括一个

电压感应pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极，用于感应测试时漏

极的真实电压。

3.一种MOSFET的测试方法，其特征在于，该方法包括：

设置测试结构，所述测试结构包括：被测试器件MOSFET和金属引线，还

包括：两个源极pad，分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；一

个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；一个栅极pad，

通过金属引线连接至MOSFET的栅极；一个电压感应pad，通

过金属引线连接至MOSFET的漏极；

对MOSFET的漏极上施加模拟测试电压，至电压感应pad上的真实电压达

到MOSFET的设计漏极电压时，获取所述模拟测试电压值；

通过测试平台对MOSFET施加上述获取的模拟测试电压值，测试MOSFET

的电性参数。

说明书

p技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及