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题库(一)
半导体物理基础部分
1、计算分析题
103
已知：在室温（T=300K）时，硅本征载流子的浓度为n=1.5×10/cm
i
22
-19cm/Vscm/Vs
电荷的电量q=1.6×10Cµ=1350µ=500
np
43
半导体硅材料在室温的条件下，测得n=4.5×10/cm，
0
153
N=5×10/cm
D
问：⑴该半导体是n型还是p型？
⑵分别求出多子和少子的浓度
⑶样品的电导率是多少？
⑷分析该半导体的是否在强电离区，为什么nN？
0D
2、说明元素半导体Si、Ge中的主要掺杂杂质及其作用？
3、什么叫金属-半导体的整流接触和欧姆接触，形成欧姆接触的主要方法有那些？
4、为什么金属与重掺杂半导体接触可以形成欧姆接触？
P-N部分
5、什么叫pn结的势垒电容？分析势垒电容的主要的影响因素及各因素导致垒电容大小变化
的趋势。
6、什么是pn结的正向注入和反向抽取？
7、pn结在正向和反向偏置的情况下，势垒区和载流子运动是如何变化的？
8、简述pn结雪崩击穿、隧道击穿和热击穿的机理．
9、什么叫二极管的反向恢复时间，提高二极管开关速度的主要途径有那些？
10、如图1所示，请问本PN结的偏压为正向，还是反向？准费米能级形成的主要原因?PN
结空间电荷区宽度取决的什么因素，对本PN结那边空间电荷区更宽？
图1pn结的少子分布和准费米能级
三极管部分
11、何谓基区宽变效应？
12、晶体管具有放大能力需具备哪些条件？
13、怎样提高双极型晶体管的开关速度？
14、双极型晶体管的二次击穿机理是什么？
15、如何扩大晶体管的安全工作区范围？
16、详细分析PN结的自建电场、缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。
17、晶体管的方向电流I、I是如何定义的？二者之间有什么关系？
CBOCEO
18、高频时，晶体管电流放大系数下降的原因是什么？
19、如图2所示，请问双极型晶体管的直流特性曲线可分为哪些区域，对应图中的什么位置？
各自的特点是什么?从图中特性曲线的疏密程度，总结电流放大系数的变化趋势，为什
么？
图2双极型晶体管共发射极直流输出特性曲线
+-+
20、如图3所示，对于一个NPNN结构的双极晶体管，随着集电极电流的增大
Kirkeffect
出现了那种效应？请详细描述图3（a-c）曲线的形成的过程。
很
窄
移到衬底
基
区
缩
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